现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。

14）工控机及操作系统

用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：

?机箱：4Μ 15槽上架式机箱；

?支持ATX母板；

?CPΜ：INTEL双核；

?主板：研华SIMB；

?硬盘：1TB；内存4G；

?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器；

?集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。

?西门子PLC逻辑控制

15）数据采集与处理单元

用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：

?示波器;高压探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求

?电流探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求

?状态监测：NI数据采集卡

?上位机：基于Labview人机界面

?数据提取：测试数据可存储为Excel文件及其他用户需要的任何数据格式，特别是动态测试波形可存储为数据格式；所检测数据可传递至上位机处理；从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据；?数据处理和状态检测部分内容可扩展

3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路 ?高压充电电源：10~1500V连续可调 ?支撑电容：额定电压2kV ?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V ?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V ?集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A ?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定 4）栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路 ?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V； ?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA ?包装与运输由专人负责，每个部分随机文件包括发货清单、出厂合格证、试验报告和主要器件说明书等。栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V； ?脉冲时间：40~100ms可设定