现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据。

11）动态测试续流二极管

用于防止测试过程中的过电压。

?压降小于1V

?浪涌电流大于20kA

?反向***时间小于2μs

?工作温度 室温～40℃

?工作湿度 <70%

12）安全工作区测试续流二极管

?浪涌电流 大于20kA

?反向***时间 小于2μS

?工作湿度 <70%

13）被测器件旁路开关

被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。

?电流能力 DC 50A

?隔离耐压 15kV

?响应时间 150ms

?工作方式 气动控制

?工作气压 0.4MPa

?工作湿度 <70%

关断时间测试参数： 1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns 2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns 4、关断能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、关断耗散功率Pon：10W～250kW 关断时间测试条件： 1、集电极电压Vce：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 2、集电极电流Ic：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A;