现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT(绝缘栅型场效应晶体管)已成为大功率元件的主流,在市场上居于主导地位。由于科技进步,电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展,尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换.2IGBT模块动态测试参数及指标测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足国际标准IEC60747-9以及IEC60747-2。...等领域,使半导体开发技术人员在市场需求下,对大功率元件的发展技术,持续在突破。
关断时间测试参数: 1、关断时间toff:5~2000ns±3%±3ns 2、关断延迟时间td(off):5~2000ns±3%±3ns 3、下降时间tf:5~2000ns±3%±3ns 4、关断能量:0.2~1mJ±5%±0.01mJ 1~50mJ±5%±0.1mJ 50~100mJ±5%±1mJ 100~500mJ±5%±2mJ 5、关断耗散功率Pon:10W~250kW 关断时间测试条件: 1、集电极电压Vce:50~100V±3%±1V 100~500V±3%±5V 500V~1000V±3%±10V 2、集电极电流Ic:50~100A±3%±1A; 100~500A±3%±2A; 500~1000A±3%±5A;
开通特性测试采用双脉冲测试法。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值(一般为被测器件额定电压的1/2),设定±VGG到测试要求值,计算机控制接通开关S1,并控制输出被测双脉冲触发信号,开通和关断被测器件两次,被测器件次开通后,集电极电流IC上升,直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时,关断被测器件(设为t1时刻),之后电感L经二极管(Q1内部二极管)续流,IC迅速减小,直至IC降为零时,第二次开通被测器件(设为t2时刻),此后电感L中的电流向IC转移,IC迅速上升(若L足够大,t1~t2间隔足够短,L中的电流可视为恒流),直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻),关断被测器件。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2~t3之间的导通波形,其中,VCE采样到示波器的CH1通道,IC取样到示波器的CH2通道,VGE采样到示波器的CH3通道,示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机,由计算机对测试波形进行分析与计算,后显示测试结果。中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的,因其必须承受规格上的电压与电流,在某条件下,承受度的数据便称为此元件的参数。
4验收和测试 1)验收由双方共同参加,按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项,检验单元是否功能齐全、模块完整、正常运行。由卖方现场安装、测试,买方确认测试合格通过后完成验收。 2)卖方负责***和实施整个单元的组装、调试、系统集成工作;培训后,应能达到用户能基本完全***熟练操作单元进行功率半导体性能测试,并能解决实际工程问题。负责免费培训并提供培训教材。培训后,应能达到用户能基本完全***熟练操作单元进行功率半导体性能测试,并能解决实际工程问题。
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