变频器用IGBT测试仪现货供应优惠报价 华科半导体器件测试仪
作者:华科智源2021/11/2 0:46:35

近两年IGBT测试仪持续火爆,新能源汽车,轨道交通,风力发电等等都需要大量的IGBT模块,所以我们华科智源推出了大功率IGBT测试仪,可以测试1200A,5000V以内的IGBT模块,基本可以涵盖现阶段的IGBT模块的测试了,我们IGBT测试仪还可以在线检测模块的电性能参数,对一些检修,维护领域的工作有比较好的帮助,目前国内我们华科智源不光是IGBT静态测试仪,包括动态测试仪,与的设备也可以放在一起竞争了,而且我们不怕竞争,这对我们是一种促进。系统的测试原理符合相应的***标准,系统为***式单元,封闭式结构,具有升级扩展潜能。


产品主要有电力半导体器件、组件、模块(包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等)的检测及可靠性设备,电气自动化设备,电冶、电化学装置,电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉,晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。01mA 栅极电压VGE: 0V 6)栅极-发射极阈值电压 VGEth: 1-10V±2%±0。


3)IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路 ?高压充电电源:10~1500V连续可调 ?支撑电容:额定电压2kV ?饱和通态压降电压探头精度要求:0.1~10V±3%±0.01V ?栅极电压输出要求:5~25V±1%±0.01V ?集电极电流测试设备精度: 200~500A±3%±1A;500~1000A±2%±2A ?测试脉冲宽度:0.1~1ms可设定 4)栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路 ?可调电源:±1V~±40V±2%±0.1V;1V 3)集电极-发射极电压 集电极电压VCES: 100-5000V±2%±10V 集电极电流ICES: 0。 ?小电流测量设备精度:0.01~10μA±2%±0.005μA ?栅极电压Vge:±1V~40V±1%±0.1V; ?脉冲时间:40~100ms可设定


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