硅片清洁分类

2.化学清洗　　

化学清洗是为了除去原子、离子不可见的污染，方法较多，有溶剂萃取、酸洗（***、硝酸、王水、各种混合酸等）和等离子体法等。其中***体系清洗方法效果好，环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的强氧化性，将有机物分解而除去；用超纯水冲洗后，再用成分比为H2O:H2O2:NH4OH=5:2：1或5:1：1或7:2：1的碱性清洗液清洗，由于H2O2的氧化作用和NH4OH的络合作用，许多金属离子形成稳定的可溶性络合物而溶于水；然后使用成分比为H2O:H2O2:HCL=7:2：1或5:2：1的酸性清洗液，由于H2O2的氧化作用和盐酸的溶解，以及氯离子的络合性，许多金属生成溶于水的络离子，从而达到清洗的目的。

示踪原子分析和质谱分析表明，采用***体系清洗硅片效果好，同时所用的全部化学***H2O2、NH4OH、HCl能够完全挥发掉。用H2SO4和H2O2清洗硅片时，在硅片表面会留下约2×1010原子每平方厘米的硫原子，用后一种酸性清洗液时可以完全被清除。用H2O2体系清洗硅片无残留物，***性小，也有利于工人健康和环境保护。硅片清洗中用各步清洗液处理后，都要用超纯水冲洗。

芯片的背部减薄制程

1. Grinding制程：

对外延片以Lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用Lapping的话，加工就需耗时约2h，时间成本过高。目前的解决方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。

2. Lapping制程

减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复Grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于Grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。

除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在Lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对Lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行Lapping制程，以达到更好的表面品质。

蓝宝石衬底晶片是LED产业链的环节，以往这种产品的制造技术被国外公司垄断。目前，国产显示、通讯、照明等器材上使用的LED衬底晶片基本上依赖进口。国内只能出口蓝宝石晶体或到海外，加工成衬底材料后再返销国内。

受益于下游led芯片需求旺盛，继3月调价后，近期2英寸蓝宝石衬底从4美元涨至7美元，4英寸蓝宝石衬底从30美元涨至35美元。业内认为，蓝宝石应用逐步扩大有助价格延续涨势。拟在A股上市的玻璃盖板厂商蓝思科技新披露招股书显示，将投入18亿元用于蓝宝石扩产，由于产能远超过iPhone需求，市场推断公司将生产手机用蓝宝石盖板等，并供应给非苹果阵营手机。

业内认为，led照明应用暴发叠加蓝宝石手机盖板渗透率提升，蓝宝石长晶及相关设备需求将大幅提升甚至出现供应缺口。国内公司中，天通股份拥有自主研发的大尺寸长晶炉设备，形成了从长晶、掏棒、切磨抛的完整产业链；大族激光即将向苹果提供首批激光切割机，未来有望占据手机蓝宝石切割70%-80%市场份额。

太阳能板构成及各部分功能　　

（1）钢化玻璃：其作用为保护发电主体（如电池片），透光其选用是有要求的：

1.透光率必须高（一般91%以上）；

2.超白钢化处理。

（2）EVA：用来粘结固定钢化玻璃和发电主体（电池片），透明EVA材质的优劣直接影响到组件的寿命，暴露在空气中的EVA易老化发黄，从而影响组件的透光率，从而影响组件的发电质量除了EVA本身的质量外，组件厂家的层压工艺影响也是非常大的，如EVA胶连度不达标，EVA与钢化玻璃、背板粘接强度不够，都会引起EVA提早老化，影响组件寿命。