多晶硅应用价值

冶金级硅的提炼并不难。它的制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成。这样被还原出来的硅的纯度约98-99%，但半导体工业用硅还必须进行高度提纯（电子级多晶硅纯度要求11N，太阳能电池级只要求6N）。而在提纯过程中，有一项氢硅还原法（西门子法）”的关键技术我国还没有掌握，由于没有这项技术，我国在提炼过程中70%以上的多晶硅都通过***排放了，不仅提炼成本高，而且环境污染非常严重。我国每年都从石英石中提取大量的工业硅，以1美元/公斤的价格出口到德国、美国和日本等国，而这些***把工业硅加工成高纯度的晶体硅材料，以46-80美元/公斤的价格卖给我国的太阳能企业。

晶体硅为钢***，无定形硅为黑色。***、无味。d2.33;熔点1410℃；平均热容( 16～100℃)0. 1774cal/(g -℃)。晶体硅属于原子晶体，硬而有光泽，是典型的半导体。在常温下，很难与其他物质发生反应，不溶于水、硝酸和盐酸，溶于碱液。在高温下能与氧气等多种元素化合。具有硬度高、不吸水、耐热、耐酸、耐磨和耐老化等特点。硅在自然界分布极广，地壳中约含27.6%．主要以二氧化硅和硅酸盐的形式存在。

3、刻蚀

在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。

湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片

HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。

6、烧结

烧结是把印刷到电池片表面的电极在高温下烧结，使电极和硅片本身形成欧姆接触，提高电池片的开路电压和填充因子，使电极的接触具有电阻特性以达到高转效率，烧结过程中也可利于PECVD工艺所引入－H向体内扩散，可以起到良好的体钝化作用。

烧结方式：高温快速烧结，加热方式：红外线加热

烧结是集扩散、流动和物理化学反应综合作用的一个过程，正面Ag穿过SiNH扩散进硅但不可到达P-N面，背面Ag、Al扩散进硅，由于需要形成合金需要到一定的温度，Ag、Al与Si形成合金的稳定又不同，就需要设定不同的温度来分别实现合金化。