6、烧结

烧结是把印刷到电池片表面的电极在高温下烧结，使电极和硅片本身形成欧姆接触，提高电池片的开路电压和填充因子，使电极的接触具有电阻特性以达到高转效率，烧结过程中也可利于PECVD工艺所引入－H向体内扩散，可以起到良好的体钝化作用。

烧结方式：高温快速烧结，加热方式：红外线加热

烧结是集扩散、流动和物理化学反应综合作用的一个过程，正面Ag穿过SiNH扩散进硅但不可到达P-N面，背面Ag、Al扩散进硅，由于需要形成合金需要到一定的温度，Ag、Al与Si形成合金的稳定又不同，就需要设定不同的温度来分别实现合金化。

六、镀减反射膜

抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。

硅片是半导体材料的基石，它是先通过拉单晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的价电子数为4,序数适中,所以硅元素具有特殊的物理化学性质，可用在化工、光伏、芯片等领域。特别是在芯片领域，正式硅元素的半导体特性,使其成为了芯片的基石。在光伏领域，可用于太阳能发电。而且地球的地壳中硅元素占比达到25.8%，开采较为方便，可回收性强，所以价格低廉,进-步增强了硅的应用范围。

化电路板包括电路板主体、电子元件及连接部，电路板主体与连接部相连，连接部表面设有金属薄片，金属薄片上设有金属点，电路板主体背部设有加强板，电路板主体内部设有铜锡层。该电路板化性强，且利用金属点来与外部电子元件电连接，因此不必担心金属薄片氧化的问题，同时还可根据实际情况选择电路板的薄厚程度，灵活实用，另外化电路板还实现了把铜锡层设置在基材内部，使其方便连接电容。

随着电子科技的不断进步，大部分电子产品均包含有电路板，其上设置有许多电子零件，用以达成电子控制功能。但是目前所使用的电路板在化及灵活运用上有所欠缺，同时不能更好的与外部电子元件进行接触，另外没有实现将电容设置在电路板主体内部的功能。因此，需要对现有的电路板做出相应的改进，相信通过这样的改进后，能更好的满足使用者的需求。