多晶硅生产的原料是***和氢气，按照一定的比例计入还原炉内进行热分解和还原反应产生多晶硅棒。

***是用***和工业硅粉在合成炉内反应生成，***是用氢气和***在***合成炉内燃烧生成，***是氯化钠工业盐水通过通电反应生成，氢气即可以用氯化钠工业盐水通过通电反应生成。也可以用水通电电解生产。工业硅粉是用石英矿与碳在通电的情况下还原反应生成工业硅块，经粉碎变成工业硅粉。

隐裂、热斑、PID效应，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。

2. “隐裂”对组件性能的影响

晶硅太阳能电池的结构如下图所示，电池片产生的电流主要靠表面相互垂直的主栅线和细栅线收集和导出。因此，当隐裂（多为平行于主栅线的隐裂）导致细栅线断裂时，电流将无法被有效输送至主栅线，从而导致电池片部分乃至整片失效，还可能造成碎片、热斑等，同时引起组件的功率衰减。

垂直于主栅线的隐裂几乎不对细栅线造成影响，因此造成电池片失效的面积几乎为零。

而正处于快速发展的薄膜太阳能电池，由于其材料、结构特性，不存在隐裂的问题。同时其表面通过一层透明导电薄膜收集和传输电流，即使电池片有小的瑕疵造成导电膜，也不会造成电池大面积失效。

有研究显示，组件中如果某个电池的失效面积在8%以内，则对组件的功率影响不大，并且组件中2/3的斜条纹隐裂对组件的功率没有影响。所以说，虽然隐裂是晶硅电池常见的问题，但也不必过度担心。

4. 形成“隐裂”的原因

外力：电池片在焊接、层压、装框或搬运、安装、施工等过程中会受外力，当参数设置不当、设备故障或操作不当时会造成隐裂。

高温：电池片在低温下没有经过预热，然后在短时间内突然受到高温后出现膨胀会造成隐裂现象，如焊接温度过高、层压温度等参数设置不合理。

原材料：原材料的缺陷也是导致隐裂的主要因素之一。

电路板清洗技术

3、 免清洗技术

在焊接过程中采用免清洗助焊剂或免清洗焊膏，焊接后直接进入下道工序不再清洗，

免清洗技术是目前使用多的一种替代技术，尤其是移动通信产品基本上都是采用免洗方法来替代ODS。目前国内外已经开发出很多种免洗焊剂，国内如北京晶英公司的免清洗焊剂。

免清洗焊剂大致可分为三类：

1） 松香型焊剂：再流焊接使用（RMA），可免洗。

2） 水溶型焊剂：焊后用水清洗。

3） 低固态含量助焊剂：免清洗。免清洗技术具有简化工艺流程、节省制造成本

和污染少的优点。近十年来，免清洗焊接技术、免清洗焊剂和免清洗焊膏的普遍使用，是20 世纪末电子产业的一大特点。取代CFCs 的途径是实现免清洗。