硅熔炼过程中，电炉电气参数的控制是由配电工作完成的。一般情况下就是控制电极的埋入深度。浅埋电极，一般表明还原剂过剩，电极附近形成火眼，电弧

声响亮，出炉硅温度低，数量少、电耗高。深埋电极，如果炉料中还原剂过少，电极将处于较低位置。因为炉料电阻随着炉料中碳的减少而增大，电阻增大使电流负

荷下降，电极消耗增加，生产率降低。        

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IBM和英特尔的研究人员与工程师们将在下周于旧金山举行的国际电子设备会议(IEDM)上详细阐述他们在应变硅技术(strained silicon)方面取得的进展。应变硅技术是一项新的制造技术，预计可把处理器的性能提高20%。

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