硅片化学清洗是为了除去原子、离子不可见的污染,方法较多,有溶剂萃取、酸洗（***、硝酸、王水、各种混合酸等）和等离子体法等。其中***体系清

洗方法效果好，环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的强氧化性,将有机物分解而除去；，

由于H2O2的氧化作用和盐酸的溶解，以及氯离子的络合性，许多金属生成溶于水的络离子，从而达到清洗的目的。 

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硅具有耐高温、电绝缘、耐辐射、防水等独特性能。用于电气、航空、机械、化工、、、建筑等部门。作为集成电路核心的电子元器件，95%以上

是用半导体硅制成的，半导体是当代信息工业的支柱。“信息高速公路”中大量应用的光纤电缆中的光纤，也是以金属硅为原料生产的。美国和欧盟化学用硅的消费

量已占金属硅总消费量的一半以上。         

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硅石要求有一定的粒度。硅石的粒度是冶炼的一个重要工艺因素。硅石适宜粒度受硅石种类、电炉、容量、操作状况以及还原剂的种类和粒度等多种因素影

响，要根据具体的冶炼条件来决定。一般情况下，6300KVA三相电炉（1983年大悟硅厂建成），要求硅石粒度在8-100mm，3200KVA三相电

炉，要求硅石粒度为8-80mm，而且中间粒度组成的比例要大些。        

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