电池片的制作工艺
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影响因素
1. 温度
温度 T 越高,扩散系数 D 越大,扩散速度越快。
2. 时间
对于恒定源:时间 t 越长结深越深,但表面浓度不变。
对于限定源:时间 t 越长结深越深,表面浓度越小。
3. 浓度
决定浓度是因素:氮气流量、源温。
表面浓度越大,扩散速度越快。
4. 第三组元
主要是掺硼量对扩散的影响,杂质增强扩散机制。在二元合金中加入第三元素时,扩散系数也会发生变化。掺硼量越大,扩散速率越快。即电阻率越小,越容易扩散。
控制点
方块电阻,外观,单片均匀性,整管均匀性。
方块电阻: 表面为正方形的半导体薄层在电流方向所呈现的电阻。 R= 电阻率 *L/S, 对方块硅片,长度等于宽度,则 R= 电阻率 / 厚度,方块电阻~ ( 1/ Ns*Xj) Ns :电化学浓度, Xj :扩散结深。
单晶硅片
振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置:天价回收硅片,电池片,初中级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳电池,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,El,欠佳检测,2手,旧,工程项目,拆装,道路路灯,拆卸发电厂,拆装,人造板,层压板,***限结晶硅,多晶硅,单晶硅,试验板,负债还款,返修,太阳能发电控制模块收购等。
单晶硅片
当今开发设计得更快的这种太阳电池,它的组成和生产工艺流程已定形,商品已普遍用以宇宙空间和路面设备。这类太阳电池以高纯度的单晶硅棒为原材料,纯净度规定99.999%。以便降低成本成本费,如今路面运用的太阳电池等选用太阳能发电级的单晶硅棒,原材料性能参数有一定的放开。有的也可应用集成电路工艺生产加工的头尾料和废次单晶硅原材料,历经复拉做成太阳电池型的单晶硅棒。将单晶硅棒切一片,通常片厚约0.3mm。硅片历经成型、研磨抛光、清理等工艺流程,做成待生产加工的原材料硅片。生产加工太阳电池片,先要在硅片上夹杂和外扩散,通常夹杂物为微量分析的硼、磷、锑等。外扩散是在石英管做成的高溫扩散炉中开展。那样就在硅片上产生P/FONT>N 结。然后采用丝网印刷法,将配好的银浆印在硅片上做成栅线,经过烧结,同时制成背电极,并在有栅线的面涂覆减反射源,以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉,至此,单晶硅太阳电池的单体片就制成了。单体片经过抽查检验,即可按所需要的规格组装成太阳电池组件(太阳电池板),用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流,后用框架和封装材料进行封装。用户根据系统设计,可将太阳电池组件组成各种大小不同的太阳电池方阵,亦称太阳电池阵列。目前单晶硅太阳电池的光电转换效率为 15% 左右,实验室成果也有 20% 以上的。用于宇宙空间站的还有高达 50% 以上的太阳能电池板。
电池片流程
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电池片流程
1、 车间段位构成
WHQ :硅片为太阳能电池片的载体,硅片的质量决定了电池片的转换效率。而该工序则是对硅片的来料检测,主要是包括厚度, TTV ,电阻率,外观 (破片,缺角,孔洞,脏污)
需注意 :
1) 切割方向会厚薄不均,放片时需 180 度错落放置以保证放入载体厚薄均匀,切割方向需要垂直与印刷 细 栅方向,预防水波纹出现。
2) 线痕: 单线痕
密集线痕
3 )原硅片因切割后因有清洗所以会有粘度导致原硅片粘连,放置时需轻微摇晃。
制绒: 目的:去除表面损伤层,对表面进行凹凸处理 ,清楚表面硅酸钠,氧化物,油污以及金属。以提高光电转换率。
减重 ,活性不均匀会影响到后面 PEVCD 工序使硅片出现问题制绒过程中, 制绒面朝下,装入载体,载体单孔面为制绒面。在制品时间为两小时,两小时内要及时送入下一工序。
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