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ASEMI高压SBD

长期以来，在输出12V~24V的***PS中，次级边的高频整流器只有选用100V的SBD或200V的FRED。在输出24V~48V的***PS中，只有选用200V~400V的FRED。设计者迫切需要介于100V~200V之间的150VSBD和用于48V输出***PS用的200VSBD。近两年来，美国IR公司和APT公司以及ST公司瞄准高压SBD的巨大商机，先后开发出150V和200V的SBD。这种高压SBD比原低压SBD在结构上增加了PN结工艺，形成肖特基势垒与PN结相结合的混合结构

肖特基二极管属于低功耗、大电流、超高速半导体器件，其反向***时间可小到几纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。

　　肖特基二极管与PN结二极管在构造原理上有一定区别。这种管子的缺点是反向耐压较低，一般不超过100V，适宜在低电压、大电流的条件下工作。液晶彩电DC-DC变换器中的二极管一般采用的就是肖特基二极管。

　　需要说明的是，很多肖特基二极管和快***二极管有三只引脚，外形酷似晶体管。其实，这是一种内含两个肖特基二极管的复合二极管，其中一只脚为公共正极，另两只脚分别为两只二极管的负极，可用万用表方便地进行判断，

什么是肖特基二极管？有何特点意义？

SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（***PS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速***外延二极管（FRED）和超快速***二极管（UFRD）。目前UFRD的反向***时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的***PS需要。即使是硬开关为100kHz的***PS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使***PS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。

Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管，简称：SB,比如：SB107,SB1045CT……

　　Schottky Barrier Diode:也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。

　　因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。