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ASEMI肖特基二极管参数的研发拓展：

ASEMI研制的MBR60100PT  MBR60150PT  MBR60200PT，是专门为在输出12V~24V的***PS中替代高频整流FRED而设计的。像额定电流为2×8A的大电流高频率型SBD，起始电压比业界居***水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值为0.47V)，导通电阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值为40mΩ)，导通损耗低0.18W(典型值为1.14W)。

ASEMI肖特基二极管与快***二极管有什么区别?

这是两种工艺的芯片技术，势垒工艺肖特基二极管频率比平面硅片的快***二极管更高，TRR参数只几nS,基本忽略，正向导通电压低，只零点几伏（低自身功耗），但点压不高，一般只能做到200V，现在ASEMI有做300V的MBR30200PT。更高的参数需求可以详询ASEMI在线***。

　　【ASEMI讲解肖特基二极管的命名】

　　肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，

　　完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR），

　　也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成SBD）的简称。

　　肖特基：Schottky

　　整流：Rectifier

　　SR:即为肖特基整流二极管

　　Schottky Rectifier Diode:肖特基整二极管，简称：SR,比如：SR107,SR10100CT……

　　势垒：Barrier

　　SB:即为肖特基势垒二极管

　　肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做"SB1045CT、SR10100、SL…、BL…