MBR1045CT采用俄罗斯米克朗(Mikron)高抗冲击能力芯片；其高抗冲击性能尤为显著，框架材质为100％纯铜材料，黑胶部分采用复合材料环氧塑脂材料一次性浇铸成型；采用台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节.在品质工艺上:二极管制作是使用的健鼎一体化自动生产线设备,全程工艺由电脑控制，模具更为精密完全杜绝毛刺，外观光滑自然美观。

UL为美国安规认证，是世界上安全试验和鉴定机构整流桥

代表安全检检产品运作良率是世界上安全试验和鉴定机构

激光打标，解决油墨丝印易掉色问题，黑胶材质是采用进口环氧塑脂材料

我司技术力量雄厚，可协同用户研发、设计新产品，并可提供现场指导。

“诚信”是强元芯屹立于行业之本，未来，我们仍将恪守“诚信，***，务实”的服务理念，不断完 善创新，努力为客户和公司同仁共创双嬴。

编辑：DD

ASEMI高压SBD

长期以来，在输出12V~24V的***PS中，次级边的高频整流器只有选用100V的SBD或200V的FRED。在输出24V~48V的***PS中，只有选用200V~400V的FRED。设计者迫切需要介于100V~200V之间的150VSBD和用于48V输出***PS用的200VSBD。近两年来，美国IR公司和APT公司以及ST公司瞄准高压SBD的巨大商机，先后开发出150V和200V的SBD。这种高压SBD比原低压SBD在结构上增加了PN结工艺，形成肖特基势垒与PN结相结合的混合结构

SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说，Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏电流，而后者的正向压降较小。