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由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管。

SBD的结构及特点使其适合于在低压、DA电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。

如何判断一只肖特基二极管的好坏呢？应该如何检测呢？下面一起为大家讲解一下。

通过一个实例来介绍检测肖特基二极管的方法。检测内容包括:①识别电极;②检查管子的单向导电性;③测正向导压降VF;④测量反向击穿电压VBR。

被测管为常见的to-220封装肖特基管，共有三个管脚，将管脚按照正面(字面朝向人)从左至右顺序编上序号①、②、③。然后选择500型万用表的R×1档进行测量，通断电可显示不同示数，根据示数就可以判断这款肖特基二极管的好坏了。

ASEMI肖特基二极管与快***二极管有什么区别?

这是两种工艺的芯片技术，势垒工艺肖特基二极管频率比平面硅片的快***二极管更高，TRR参数只几nS,基本忽略，正向导通电压低，只零点几伏（低自身功耗），但点压不高，一般只能做到200V，现在ASEMI有做300V的MBR30200PT。更高的参数需求可以详询ASEMI在线***。

MUR2060CTR产品参数与整流原理图

“阳”指的是正极、正向电流或者指输入，“共阳”意味着共用一条引线作为输入端。MUR2060CTR是共阳管，就表明这个型号的快***二极管的输入正向电流是共用一条引线的。由下图可知，MUR2060CTR采用的是TO-220封装，有3条引脚，即引线；共用的一条引线为中间的引脚，因此电流方向是两段输出，中间输入的。