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接下来我们将一起看一下ASEMI肖特基二极管和超快***二极管、快***二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。

在频率上，肖特基二极管大于超快***二极管大于快***二极管大于硅高频整流二极管大于硅高速开关二极管；

在电流范围上，肖特基二极管大于超快***二极管大于快***二极管大于硅高频整流二极管大于硅高速开关二极管；

在耐压限制范围上，肖特基二极管小于超快***二极管小于快***二极管小于硅高频整流二极管小于硅高速开关二极管；

由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。

ASEMI肖特基二极管参数的研发拓展：

ASEMI研制的MBR60100PT  MBR60150PT  MBR60200PT，是专门为在输出12V~24V的***PS中替代高频整流FRED而设计的。像额定电流为2×8A的大电流高频率型SBD，起始电压比业界居***水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值为0.47V)，导通电阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值为40mΩ)，导通损耗低0.18W(典型值为1.14W)。

Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管，简称：SB,比如：SB107,SB1045CT……

　　Schottky Barrier Diode:也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。

　　因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

3、常用的肖特基二极管

　　常用的有引线式肖特基二极管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200 等型号。也就是常说的插件封装。

　　常用表面贴封装肖特基二极管。贴片肖特基二极管为何命名为"SS"?

　　SCHOTTKY:取首字母"S",

　　***D:Surface Mounted Devices 的缩写，意为：表面贴装器件，取首字母"S",

　　上面两个词组各取首字母、即为 SS,

　　电流的肖特基是BAT42（0.2A）；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；

　　电流的肖特基是440A,如：440CMQ030、444CNQ045;超过440A 的必定是模块。

　　肖特基的电压是 200V,也就是说，肖特基的极限电压是200V.超过200V 电压的也必定是模块。

　　电流越大，电压越低。与可控硅元件不一样。电流与电压成反比（模块除外）。

　　10A、20A、30A 规格的有做到200V 电压。除此外，都没有200V 电压规格。