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ASEMI肖特基二极管新品介绍——

SBD的主要优点包括两个方面:

1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。

2)由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向***问题。SBD的反向***时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向***时间。由于SBD的反向***电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。

快***二极管是指反向***时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快***和超快***两个等级。前者反向***时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下.因此相比较之下，ASEMI肖特基二极管与快***二极管各有各的优势，两者互相弥补，成就了ASEMI***整流12年的佳话！

MBR1045CT,其中的"C":表示TO-220封装；MBR6045PT,其中的"P":表示TO-3P封装

　　元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如：

　　MBRD10100CT:第四位的D,表示贴片DPAK封装

　　MBRB10100CT:第四位的B,表示贴片D2PAK封装

　　MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封

　　TO-252,也就是贴片DPAK封装；TO-263,也就是贴片D2PAK封装；任何型号的命名都有它的规律性可循。例如：MBR20100CT,型号中就20100是阿拉伯数字，20100中，20是电流，100是电压。以此类推。