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ASEMI肖特基二极管MBR40200PT，电性参数为40A200V,TO-247/3P封装，芯片采用俄罗斯进口Mikron芯片，镭射激光打标，不易退色；黑胶材质为进口环氧塑脂材料，包封稳定性强，其引脚为无氧铜，抗弯曲、减少氧化、高导电性。

ASEMI肖特基二极管，每一道工序都在严格的监控下生产制造。所生产出来的肖特基二极管产品，已过严格检验测试方可出厂，确保没有不良品。因为ASEMI相信，客户是懂产品的。客户相信ASEMI的品牌与品质，才会下单。

ASEMI低压降肖特基二极管SB10100LFCT

ASEMI低压降肖特基二极管SB10100LFCT采用的是ITO-220AB全塑封装，SB10100LFCT采用进口俄罗斯米克朗56mil双芯片,高抗冲击性能与一致性能提升40%以上。保证其参数可以达到:10A为正向整流，100V为反向耐电压，150A峰值浪涌电流，0.54v正向压降以及20UA漏电流。这款封装很大优势在于绝缘性与阻燃性表现非常好。采用了环氧树脂封装材料，封装强度高保障内部芯片、焊片、框架，不氧化不碎裂不漏电。

ASEMI肖特基二极管MBR30100FCT

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ASEMI肖特基二极管MBR30100FCT是一种低功耗、高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，具有反向***时间短，速度快，有效防止浪涌，减少开通瞬间的功耗等功能。其封装为：TO-220；电性参数正向电流为30A，反向耐压为100V；正向峰值浪涌电流为200A，反向***时间：＜5ns，芯片尺寸：122MIL.