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随着高压变频器成本的进一步降低， 在中等功率市场，高低型变频器将会退出竞争,而只关注于较小功率的场合。对于单元串联多电平型变频器，主要缺点是变流环节复杂，功率元器件数目多，体积略大-一些，但是，在其他的方式不能解决国内应用的需要，高压器件应用的可靠性还不是太高的情况下，其竞争优势在近的一段时期内，可能还是无法替代的。

四、变频器与上位机相连进行系统调试

在手动的基本设定完成后,如果系统中有上位机,将变频器的控制线直接与上位机控制线相连,并将变频器的操作模式改为端子控制。根据上位机系统的需要,调定变频器接收频率信号端子的量程0-5V或0-10V ,以及变频器对模拟频率信号采样的响应速度。如果需要另外的监视表头,应选择模拟输出的监视量,并调整变频器输出监视量端子的量程。

变频器系统自诊断功能：自动检测核心主控制器，可编程序逻辑FL及上位机等当前的状态，辅助分析各控制器间的通讯情况，并设计内核检测功能，协助分析控制器运行性能或解决故障。

10、旁路功能：QF采用带综合继保的高压断路器：如果QS1、QS2、QS3采用手动隔离开关，电机可以实现手动旁路。QS1、QS2闭合，QS 3断开时，电机可由变频器控制调速运行。QS1、QS2断开，QS 3闭合时，电机可由QF直接启动停并进行保护，变频器可完全和电网脱离，便于维护与检修。如果QS1、QS2、QS3都采用电气开关( 如真空接触器)，则可以实现电机自动旁路或软启动功能。

高压变频器运行环境的要求主要包括电气环境、温度、湿度、防尘、防止***(小动物)进入等方面。

一、电气环境要求：电气环境的要求主要是指防静电要求和防电磁干扰、接地等。

1.防静电要求：高压变频器内部电路采用大量的半导体IMOS器件,这类器件对静电的敏感范围为25 1000V，而静电产生的静电电压往往高达数千伏甚至上万伏，足以击穿各种类型的半导体器件。尤其是由于IGBT是功率MOSFET和PNP双极晶体管的复合体，特别是其栅极为MOS结构，对于静电压是十分敏感的;印制电路板.上有许多元器件对静电也很敏感，接触或维护这些元器件必须遵从相关静电放电的说明。