高压变频器功率模块结构：功率模块为基本的交直-交单相逆变电路，整流侧为I =极管三相全桥，通过对IGBT逆变桥进行正弦PM控制，可得到单相交流输出。每个功率模块结构及电气性能上完全-致， 可以互换。(备件种类单-)

输入侧结构：输入侧由移相变压器给每个功率模块供电，移相变压器的晶边绕组分为三组，根据电压等级和模块串联级数，-般由24、30、42、48脉冲系列等构成多级相叠加的整流方式，可以大大改善网侧的电流波形(网侧电压电流谐波指标满足IEEE519- 1992和GB/T14549-93的要求)。使其负载下的网侧功率因数接近1 ,无需任何功率因数补偿、谐波***装置。由于变压器副边绕组的***性,使每个功率单元的主回路相对***，类似常规低压变频器，便于采用现有的成熟技术。

4、变频器的控制方式设定

本机控制：直接利用变频调速系统柜]主界面的启动、停机、调速等按钮实现变频调速系统的控制操作。

上位机控制(非标配置，由用户自i选)HARSVERT-A系列高压变频调速系统可以通过上位机进行实时状态监控，并可进行启动、停车、急停、复位、设定运行频率、参数刷新、查看故障记录等控制操作。同时，一台上位机可监控多台下位变频调速系统的运行。

DCS控制：灵活的可编程数字里和模拟里接口，可与DCS直接连接，实现设备与现场过程控制的完善结合。

远程拨号控制(非标配置，由用户自i选)用户在异地可以通过电话网络计算拨号对变频调速系统进行异地远程监控。

高压变频器运行环境的要求主要包括电气环境、温度、湿度、防尘、防止***(小动物)进入等方面。

一、电气环境要求：电气环境的要求主要是指防静电要求和防电磁干扰、接地等。

1.防静电要求：高压变频器内部电路采用大量的半导体IMOS器件,这类器件对静电的敏感范围为25 1000V，而静电产生的静电电压往往高达数千伏甚至上万伏，足以击穿各种类型的半导体器件。尤其是由于IGBT是功率MOSFET和PNP双极晶体管的复合体，特别是其栅极为MOS结构，对于静电压是十分敏感的;印制电路板.上有许多元器件对静电也很敏感，接触或维护这些元器件必须遵从相关静电放电的说明。

变频器故障判断：4、显示过电压或欠电压通常由于输入缺相，电路老化及电路板受潮引起。解决方法是找出其电压检测电路及检测点，更换损坏的器件。5、显示过电流或接地短路通常是由于电流检测电路损坏。如霍尔元件、运放电路等。6、电源与驱动板启动显示过电流通常是由于驱动电路或逆变模块损坏引起。7、空载输出电压正常，带载后显示过载或过电流通常是由于参数设置不当或驱动电路老化，模块损坏引起。