测量金属屏蔽层电阻和导体电阻可以监视其受腐蚀变化情况，测量电阻比可以消除温度对直流电阻测量的影响。

5.2试验周期

交接试验

5.3试验方法

用双臂电桥测量在相同温度下的金属屏蔽层和导体的直流电阻

5.4试验判断

与投运前的测量数据相比较不应有较大的变化。当前者与后者之比与投运前相比增加时，表明屏蔽层的直流电阻增大，铜屏蔽层有可能被腐蚀；当该比值与投运前相比减少时，表明附件中的导体连接点的接触电阻有增大的可能。

6. 交叉互联系统试验

6.1交叉互联系统示意图

6.2交叉互联效果及构成

相比不交叉互联，金属护层流过的电流大大降低。

非接地端金属护层上蕞高鳡应电压为蕞长长度那一段电缆金属护层上鳡应的电压。

交叉互联必须断开金属护层，断口间与对地均需绝缘良好，一般采用互联箱进行电缆金属护层的交叉互联。

接地端金属护层通过同轴电缆引入直接接地箱接地；非接地端金属护层通过同轴电缆引入交叉互联接地箱，箱内装有护层过电压保护器限制可能出现的过电压。

保护接地箱

直接接地箱

交叉互联箱

6.3交叉互联性能检验

电缆外护套、绝缘接头外护套与绝缘夹板的直流耐压试验

试验时必须将护层过电压保护器断开，在互联箱中将另一侧的三段电缆金属套都接地，使绝缘接头的绝缘环也能结合在一起进行试验。  

非线性电阻型护层过电压保护器试验

以下两项均为交接试验项目，预防性试验选做其中一个。

伏安特性或参考电压，应符合制造厂的规定。

电缆登塔引上敷设图

4.2电缆保护管安装

工艺标准

在电缆登杆（塔）处，凡露出地面部分的电缆应套入具有一定机械强度的保护管加以保护。

露出地面的保护管总长不应小于2.5m，埋入非混凝土地面的深度不应小于100mm。

单芯电缆应采用非磁性材料制成的保护管。

保护管埋地部分应满足电缆弯曲半径的要求。

保护管上口应做好密封处理。

保护管应做好防盗措施。

设计要点

电缆管不应有穿孔、裂缝和显著的凹凸不平，内壁应光滑;

金属电缆管不应有严重锈蚀;塑料电缆管应有满足电缆线路敷设条件所需保护性能的品质证明文件。在易受机械损伤的地方和在受力较大处直埋时，应采用足够强度的管材。

电缆管的内径与电缆外径之比不得小于1.5。

施工要点

（1）35kV 及以上电缆保护管宜采用两半组合的电缆保护管，并采用非铁磁性材料。110kV以上电缆保护管一般采用非再生材料的PVC材料，保护管直径为200mm，厚度不小于8mm。

金属保护管断口处不得因切割造成锋利切口、不得将切割过程中产生的金属屑残留于管内。金属保护管端口应均匀涨成光滑喇叭口（喇叭口外径为保护管外径的1.1倍），避免金属管断口割伤电缆外护层。

保护管上口用防火材料做好密封处理。

保护管固定螺丝应拧紧打毛或采取其他防盗措施

保护管埋地位置回填土应夯实。

监理要点

对保护管埋地部分进行查看，应满足电缆弯曲半径的要求。

巡视检查保护管上口已做好密封处理。

式中：

R＇——单位长度电缆导体在θ℃温度下的直流电阻；

A——导体截面积，如导体右n根相同直径d的导线扭合而成，A=nπd2/4;

   ρ20——导体在温度为20℃时的电阻率，对于标准软铜 ρ20=0.017241Ω?mm2/m：对于标准硬铝：ρ20=0.02864Ω?mm2/m；

α——导体电阻的温度系数（1/℃）；对于标准软铜：=0.00393℃-1；对于标准硬铝：=0.00403℃-1；

    k1——单根导线加工过程引起金属电阻率的增加所引入的系数。一般为1.02-1.07（线径越小，系数越大）；具体可见《电线电缆手册》表3-2-2；

k2——用多根导线绞合而成的线芯，使单根导线长度增加所引入的系数。对于实心线芯，=1；对于固定敷设电缆紧压多根导线绞合线芯结构，=1.02（200mm2以下）～1.03（240mm2以上）

k3——紧压线芯因紧压过程使导线发硬、电阻率增加所引入的系数（约1.01）；

k4——因成缆绞合增长线芯长度所引入系数，对于多芯电缆及单芯分割导线结构，（约1.01）；]

k5——因考虑导线允许公差所引入系数，对于紧压结构，约1.01；对于非紧压型， k5=[d/(d-e)]2（d为导体直径，e为公差）。

20℃导体直流电阻详见下表（点击放大）：

以上摘录于《10(6)kV～500kV电缆技术标准》（Q∕GDW 371-2009 ）。

2.2 导体的交流电阻

在交流电压下，线芯电阻将由于集肤效应、邻近效应而增大，这种情况下的电阻称为有效电阻或交流电阻。

电缆线芯的有效电阻，国内一般均采用IEC-287推荐的公式 :

R=R′(1+YS+YP)

R——蕞高工作温度下交流有效电阻，Ω/m；

R′——蕞高工作温度下直流电阻，Ω/m；

YS——集肤效应系数，YS=XS4/(192+0.8XS4)，

XS4=（8πf/R′×10-7kS）2；

YP——邻近效应系数，YP=XP4/(192+0.8XP4)(Dc/S)2{0.312(Dc/S)2+1.18/[XP4/(192+0.8XP4)+0.27]}，XP4=（8πf/R′×10-7kP）2。

XS4——集肤效应中频率与导体结构影响作用；

XP4——邻近效应中导体相互间产生的交变磁场影响作用；

f——频率；

Dc——线芯直径，m；

S——线芯中心轴间距离，m；

ks——线芯结构常数，分割导体ks=0.435，其他导体ks=1.0；