为了研究、解决以上这些问题，后来发展起来了一门学科 EMC。若想更深入了解，读 者可以去研读一下郑军奇的《EMC 电磁兼容设计与测试案例分析》，有些例子相当经典。

（1）去耦。当器件高速开关时，把射频能量从高频器件的电源端泄放到电源分配网络。 去耦电容也为器件和元件提供一个局部的直流源，这对减小电流在板上传播浪涌尖峰很有 作用。

（2）旁路。把不必要的共模 RF 能量从元件或线缆中泄放掉。它的实质是产生一个交 流支路来把不需要的能量从易受影响的区域泄放掉。另外，它还提供滤波功能（带宽限制）， 有时笼统地称为滤波。

其实，高速系统中所有的实际接收1器都会有门输入电容，一般约为2pF。对于特性阻抗为50欧姆时，接收1器的RC上升时间大约为2.2*50*2=0.2ns。为了保证电容的稳定性，电容在插板前要经过长时间的高温环境的测试。当Tr=1ns时，这个附加的0.2ns延迟几乎无法辨认，也就不重要了；但是如果当Tr=0.1ns时，那么0.2ns的时延就make a difference!

高速系统设计中一个“时髦”的术语就是串扰，它是一个信号干扰另一个信号引起的噪声，这主要是由相邻信号的容性耦合而引起的，原因是一个信号的变化会向邻近信号注入电荷从而干扰它们的电压。

在电源给电容器充电过程中的任一时刻，若电容器所带电荷量为q，则电容器两板间的电压U＝qC。充电电流必然流经内阻r，设内阻r两端的电压为Ur，根据欧姆定律可知E电动势＝U＋Ur。在处理旁路电容时需要注意一个问题，就是旁路电容的频率越高时，受到引线电感成分的影响也越大，因此一般建议使用贴片电容。所以不难想象，图6.12中斜直线上方的三角形面积，即为电源电动势做功QE电动势过程中被消耗在内阻r上而转变为焦耳热的能量。

问题解决了！在用电源给电容器充电的过程中，只能有一半的能量被电容器储存，必然有另一半能量消耗在回路的电阻之上。如果电容器储存的能量很多，则消耗在回路电阻上的能量也就同样的多。电力补偿电容器在运行过程中应严格执行安全运行规范，加强值班巡视和检查，作好运行记录，发现故障及时处理。如果这部分能量全部消耗在电源的内阻上，则对电源十分不利，这也是在充电回路中另外增加限流电阻的原因。

至此，可能还有一个疑问：如果对电容器充电的能量利用率仅有50％，给使用电容器作为电源的电动汽车充电不是会浪费很多电能吗？要知道上面讨论的是用有固定电动势的电源给电容器充电的情况，如果给大容量电容器充电，应该使用可变电动势的电源，这样可以使充电的能量利用率大大提高。我们来看下图：上一张图是电路结构，我们看到电源E和它的内阻r，开关QF，还有电容C和电阻R。

众所周知，高频设计过程中总是需要功率因素足够高，但是由于电***负载的存在，往往事与愿违，这时提高功率因数的常用方法就是给电***负载并联电容器。由于制造工艺的原因，会造成大电容的分布电感比较大，导致高频性能不好，而小电容则刚刚相反，So，如果为了让低频、高频信号都很好地通过，那么就可以采用一个大电容再并上一个小电容的方式（其实这已经是司空见惯的PCB布局之一了）。电子电路中，只有在电容器充电过程中，才有电流流过，充电过程结束后，电容器是不能通过直流电的，在电路中起着“隔直流”的作用。在处理旁路电容时需要注意一个问题，就是旁路电容的频率越高时，受到引线电感成分的影响也越大，因此一般建议使用贴片电容。