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作者:金芝麻环保2022/6/13 16:00:32






银芝麻重防腐涂料——山东金芝麻环保
活性炭生产的主要原料是植物原料(木材、果核、果壳、棉秆、蔗糖渣等)、矿物原料(沥青、石油沥青等)。废物(如塑料废物、橡胶废物和动物骨血等)、合成纤维材料(如聚等)合成纤维材料(如聚纤维、粘合纤维、沥青基纤维等)。 根据生产中使用的原料,我国主要活性炭品种包括木活性炭,煤活性炭,壳活性炭和纤维状活性炭。




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SiC所具有的高导热性、高强度、热膨胀低、与炉渣难以反映等优良特性被作为炉渣反应和高温剥落严重部位耐火材料的主要原料使用。

随着SiC加入量的增加其抗渣性能有一定的提高。SiC在高温下的氧化是SiC质耐火材料损毁室温主要原因,根据热力学计算,SiC在高温下氧化气氛下的不稳定是十分显著的,然后它却可以在1600℃的氧化气氛下长期使用,着很大程度上是由于形成SiO2保护膜的结果。



第三代半导体材料,主要代表碳化硅和氮化相对于前两代半导体材料而言,在高温、高压、高频的工作环境下有着明显的优势。

碳化硅早在1842年就被发现了,直到1955年才开发出生长碳化硅晶体材料的方法,1987年商业化生产的的碳化硅才进入市场,21世纪后碳化硅的商业应用才算铺开。

与硅相比,碳化硅具有更高的禁带宽度,禁带宽度越宽,临界击穿电压越大,高电压下可以减少所需器件数目。具有高饱和电子飘逸速度,制作的元件开关速度大约是硅的3-10倍,高压条件下能高频操作,所需的驱动功率小,电路能量损耗低。具有高热导率,可减少所需的冷却系统,也更适用于高功率场景下的使用,一般的硅半导体器件只能在100℃以下正常运行,器件虽然能在200℃以上工作,但是效率大大下降,而碳化硅的工作温度可达600℃,具有很强的耐热性。并且混合SIC器件体积更小,工作损耗的降低以及工作温度的上升使得集成度提高,体积减小。







一般来说,碳化硅耐火材料具有多方面的优良性能,例如,在比较宽的温度范围内具有高的强度、高的抗热震性、优良的耐磨性能、高的热导率、耐化学腐蚀性等。不过,也应看到,它的弱点是能力差,由此而造成高温积胀大、变形等降低了使用寿命。

为了提高碳化硅耐火材料的性能,在结合剂方面做了不少的选择工作。使用粘土(包括氧化物)结合,但并未能起到保护作用,碳化硅颗粒仍然受到氧化和侵蚀。50年代末,选择用氮化硅(Si3N4)结合,作为碳化硅耐火材料的改进产品,确实具有很好的性(见图1),且无显著的膨胀现象。但是价格较贵;加之在反复加热冷却时有突然***的可能;而氮化硅本身的网络结构带有渗透性,不能从根本上保护碳化硅不被氧化。60年代初,又出现了用氧氮化硅(Si2ON2)结合的碳化硅耐火材料,比之氮化硅结合具有更好的性能,因为氧氮化硅粘附于碳化硅表面的氧化硅薄膜,并与其反应形成和碳化硅牢固结合的连续保护膜。同时,这种材料的价格适当,相当于用氧化物结合的碳化硅材料。





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