为了进行化学抛光，必须使零件表面的凸部比凹部优先溶解，因此应将化学抛光的作用分为两个阶段来认识。一阶段是化学抛光时金属表面现象的几何凸凹的整平，去除较粗糙的表面不平度，获得平均为数微米到数十微米的光洁度；第二阶段是晶界附近的结晶不完整部分的平滑化，去除微小的不平，在0.1～0.01μm，相当于光波长的范围。可将阶段称为宏观抛光或平滑化，把第二阶段称为微观抛光或光泽化。

化学抛光存在一个抛光时间范围。若时间过短，只能获得没有光泽的梨皮状表面；若时间过长，不仅溶液损失增大，而且加工表面会出现污点或斑点。而这个时间范围受材料、抛光液组成及抛光温度等因素的影响，通常难以预测，只能通过实验测定。

化学抛光处理

这时期，钢材作为建筑材料在钢材使用中占有重要地位，由于其使用方便、成本低廉等优点，国内钢材市场极为发达，产量很大，这也促进了钢塑复合材料在建筑结构中的应用。

化学抛光是靠化学***的化学浸蚀作用对样品表面凹凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法。化学抛光设备简单，能够处理细管、带有深孔及形状复杂的零件，生产。化学抛光可作为电镀预处理工序，也可在抛光后辅助以必要的防护措施直接使用。

为了进行化学抛光，必须使零件表面的凸部比凹部优先溶解，因此应将化学抛光的作用分为两个阶段来认识。

半导体材料的化学抛光，如锗和硅等半导体基片在机械研磨平整后，还要终用化学抛光去除表面杂质和变质层。常用和、***混合溶液或和氢氧化铵的水溶液。