正火热处理零件加工热处理

正火主要用于钢铁工件。一般钢铁正火与退火相似，但冷却速度稍大，***较细。有些临界冷却速度(见淬火)很小的钢，在空气中冷却就可以使奥氏体转变为马氏体，这种处理不属于正火性质，而称为空冷淬火。与此相反，一些用临界冷却速度较大的钢制作的大截面工件，即使在水中淬火也不能得到马氏体，淬火的效果接近正火。钢正火后的硬度比退火高。正火时不必像退火那样使工件随炉冷却，占用炉子时间短，生产，所以在生产中一般尽可能用正火代替退火。对于含碳量低于0.25%的低碳钢，正火后达到的硬度适中，比退火更便于切削加工，一般均采用正火为切削加工作准备。对含碳量为0.25~0.5%的中碳钢，正火后也可以满足切削加工的要求。对于用这类钢制作的轻载荷零件，正火还可以作为终热处理。冷处理操作方法:将淬火后的钢件，在低温介质(如干冰、液氮)中冷却到-60~-80度或更低，温度均匀一致后取出均温到室温。高碳工具钢和轴承钢正火是为了消除***中的网状碳化物，为球化退火作***准备。

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球化退火

只应用于钢的一种退火方法。将钢加热到稍低于或稍高于Ac1的温度或者使温度在A1上下周期变化，然后缓冷下来。目的在于使珠光体内的片状渗碳体以及先共析渗碳体都变为球粒状，均匀分布于铁素体基体中(这种***称为球化珠光体)。(2)一次淬火是在渗碳缓慢冷却之后,重新加热到临界温度以上保温后淬火。具有这种***的中碳钢和高碳钢硬度低、被切削性、冷形变能力

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半导体芯片退火

半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以***晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C，比热扩散掺杂的温度要低得多。把金属工件作为阴极放入通有含氮介质的负压容器中，通电后介质中的氮氢原子被电离，在阴阳极之间形成等离子区。

两段式渗氮 两段式渗氮工艺曲线如图2-43所示。阶段的工艺参数(除保温时间外)与等温渗氮相同。第二阶段把渗氮温度提高到550~560℃，以加速氮原子的扩散，缩短渗氮周期，氨分解率提高到40%~60%。根据对渗氮层的脆性要求，急速前也应提前2h提高氨分解率和温度进行退氮处理。退火（powerfulne'sing）既DNA由单链复、变成双链***的进程。

两段式渗氮的时间比等温渗氮短，表面硬度稍微低，变形略有增大，适用于渗氮层较深批量较大的零件。