更好的解决溥膜电容频率高，总线周期特别快的情况，苏州薄膜电容厂家为增加系统的抗电磁干扰能力采取如下措施：

减小信号传输中的畸变：

微控制器主要采用高速CMOS技术制造。信号输入端静态输入电流在1mA左右，输入电容10PF左右，输入阻抗相当高，高速CMOS电路的输出端都有相当的带载能力，即相当大的输出值，将一个门的输出端通过一段很长线引到输入阻抗相当高的输入端，反射问题就很严重，它会引起信号畸变，增加系统噪声。当Tpd＞Tr时，就成了一个传输线问题，必须考虑信号反射，阻抗匹配等问题。

运行温度过高造成cbb电容器损坏的原因

通风散热不足：不少单位的电容器室不是专门设计，而是利用其他房子改建的。因此安装上不甚合理，例如有的电容器室通风设备容量小，且冷风流动方向有直流通现象，造成一些温度特别高的死角。有些电容器室每排作2行或3行布置，排与排之间走道过窄，上下层电容器安装时又不注意对齐，影响到通风和散热且不便于检查监视。

薄膜电容厂家说说电容器很快就出问题的原因

带电荷合闸引起电容器的b破：

任何额定电压的电容器组，均应禁止带电荷合闸。电容器组每次重新合闸，必须于开关断开电容器放电3min后进行。

电容器对过高的电压反应是明显的。按规定，电容器可以在1.1倍额定电压下长期运行。但是，在负荷轻的情况下，网路电压常常超过这个数值。特别是对于农网，由于农村电网夜间负荷很轻，因此无功补偿的电容器，在夜间承受的工作电压，往往长时间高于这个允许值。这就要求人们应该选择具有较高额定电压的电容器，以降低电容器本身由于过高电压引起的介质损耗和由于热老化引起的电容器寿命的减少。