镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。也就是说，蒸发料的粒子作为带正电荷的高能离子在高压阴极（即工件）的吸引下，以很高的速度注入到工件表面。靶基距太小，沉积太快，工件温升大，膜层外观差

辉光清洗：对工件施加负偏压，产生辉光放电，利用ya离子轰击工件表面，这种辉光放电清洗作用比较柔和，一般采取由弱到强的轰击清洗顺序，是怕工件太脏时一开始就强轰击，可能产生强烈的打火而损伤工件。

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电子束蒸发源蒸镀法

将蒸发材料放入水冷铜坩锅中，直接利用电子束加热，使蒸发材料气化蒸发后凝结在基板表面成膜，是真空蒸发镀膜技术中的一种重要的加热方法和发展方向。电子束蒸发克服了一般电阻加热蒸发的许多缺点，特别适合制作熔点薄膜材料和高纯薄膜材料。

离子镀工艺则有所不同，虽然也是在真空罩内进行的，但这时镀膜过程是以电荷传递的形式来实现的。大部分是离子和熔融粒子,在偏压作用下,离子流在基体上凝聚成金属、合金或化合物薄膜。也就是说，蒸发料的粒子作为带正电荷的高能离子在高压阴极（即工件）的吸引下，以很高的速度注入到工件表面。相当于一个从g中射出的高速弹l头，可以穿入靶体很深，在工件上形成一种附着牢固的扩散镀层。