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镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响:
本底真空度: 本底真空度越高炉内杂气量(包括水气)越少,这保证镀膜时反应气体的纯度,从而保证膜层颜色的纯正和光泽鲜亮。一般本底真空应该进入5-7*10-3。
基体温度:镀膜时基体温度直接影响膜层的结构、致密性和附着力,温度可用T/Tm值来确定,如;热反射玻璃的特点:通过镀不同薄膜,控制对太阳直接辐射的反射、透过和吸收,达到调节热量传递的目的。靶材为钛,其熔点为1670℃,基体温度应该选择TI/TM=0.15-0.25即 250-417℃才能得到理想的晶粒***。考虑到沉积粒子受负偏压作用加速轰击工件还会引起温升,基体可选在250-300℃
靶基距:靶基距是影响成膜速率的重要因素之一,随着靶基距增加,被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多,同时等离子体密度也减弱,动能减少,沉积速率降低,但膜层外观较好。靶基距太小,沉积太快,工件温升大,膜层外观差。
物理q相沉积法真空镀膜技术(由于这种方法基本上都是处于真空环境下进行的,因此称它们为真空镀膜技术)。真空镀膜技术是一种新颖的材料合成与加工的新技术,是表面工程技术领域的重要组成部分。
真空镀膜技术是使置待镀金属和被镀塑料制品位于真空室内,采用一定方法加热待镀材料,使金属蒸发或升华,金属蒸汽遇到冷的塑料制品表面凝聚成金属薄膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段,但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。
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