四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子烛刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯阳氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的烛刻。在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。由于化学稳定性极强，CF4还可以用于金属冶炼和塑料行业等。

它在大气中的寿命约为50,000年，***增温(***暖化)系数是6,500(二氧化碳的系数是1)。虽然结构与氟氯烃相似，但四氟化碳不会***臭氧层。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应。

四氟化碳也一样，比如我们公司生产的钢瓶装四氟化碳在14MPA的气压下也是液态的，在正常大气压下就是气态的，四氟化碳是有一定毒性的应该不能用作呼吸。反应放热后，氟开始和碳化硅进行反应，通入等体积的干燥氮气以稀释氟气，使反应继续进行，生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝，然后慢慢地气化。吸入四氟化碳的后果与浓度有关，包括头1痛、恶心、头昏眼花及心血1管系统的***(主要是心脏)。长时间接触会导致严重的心脏***。

四氟化碳贮存注意事项：气瓶使用和检验遵照《气瓶安全监察规程》的规定。气瓶内的气体不能全部用尽，应该留不小于0.04MPa剩余压力。四氟化碳对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-H2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳是当前微电子工业中应用量高的等离子体蚀刻气体，被广泛应用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蚀刻。除此之外，四氟化碳还能在电子电器表面清洗、激光、低温制冷、太阳能电池等领域有着应用。