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在高真空抽气过程的起始阶段，泵的很大的未经烘烤的内表面会吸附水，然后再在较低的压力下重新释放出来。这种效应在无阀门的系统中更为明显，因为它可能比未暴露在压力高于150Pa的空气环境的有阀门的系统吸附更多的水蒸气。系统停机时，先关闭高真空阀，如果有液氮冷阱的话，还要将冷阱加热。在冷阱达到平衡温度后，关掉前级管道阀，再切断涡轮分子泵电动机的电源，使分子泵的转子减速。

一般来说，泵转子完全停止需要十分钟或更长的时间。在分子泵转子减速期间，来自前级管道的碳氢化合物和涡轮分子泵的润滑油蒸气会迅速地向泵的进气口上方区域扩散。为了防止机械泵油蒸气和涡轮分子泵润滑油蒸气的返流，在切断涡轮分子泵电动机的电源后，要用一股干燥的反向气流对分子泵进行放气。

例如，应该在泵转子速度下降到很大转速的50%左右时，在泵进气口上方的某处或在转子组件上部连续充入气或氮气，直到泵内压力达到大气压。通过从阀门3（见图1）充入气体就可适当地完成这一操作。当涡轮分子泵以额定速度运转时，不应经常充入压力为大气压的气流。这样做对轴的寿命是不利的。当前级管道阀关闭后，即可关掉机械泵系统，并用放气阀对机械泵内进行放气。停机后应立即关掉冷却水以防止内部冷凝。在正常工作时，可把水温调节到略高于来消除泵体外部可能形成的冷凝物。

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没有单设粗抽管路的涡轮分子泵系统的操作：先打开分子泵冷却系统和前级管路阀，并同时启动前级（粗抽）机械泵和涡轮分子泵。如果粗抽泵（前级泵）选择得当，使真空室的粗抽时间等于分子泵的加速（启动）时间，则真空系统就能在没有泵油蒸汽返流的情况下把真空室抽到其本底压力。

该系统在停机前，要先关闭前级管路阀，然后切断分子泵电源和关闭冷却水。等分子泵转速下降到额定工作转速的一半时，再在泵的入口处充入干燥气体，当系统充到大气压力后，应关闭放气阀门。根据需要在前级阀关闭后的任何时候停掉前级泵系统。

涡轮分子泵应用于脉冲激光沉积系统PLD涡轮分子泵应用于脉冲激光沉积系统PLD

脉冲激光沉积PulsedLaserDeition,PLD,是一种利用激光对物体进行轰击,然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上,得到沉淀或者薄膜的一种手段.PLD系统由多个真空腔体组成,整个系统需要超高真空且不能引入任何杂质,对环境的清洁度要求较高,必须配备无油干泵和分子泵抽真空.由于各个辅助腔体体积较小,因此特别适合使用Hicube系列分子泵组.分子泵组因其结构紧凑体积小,清洁无油（前级泵配备干泵),抽速快,极限真空度高达10-11mbar等优点广泛应用于此设备.

半导体产业链IC制造行业属于典型的技术密集型行业，产品技术含量非常高，同时对配套产业要求较高，其中就包括真空设备配套产业。真空设备（真空阀、真空泵、真空腔体及管道等）是半导体各工艺制程环节必备的通用设备，广泛应用于芯片生产制造过程。  半导体制造设备及工艺流程半导体器件的生产制造工艺极其复杂，需要在高纯度硅片上执行一系列精密的物理或者化学操作，例如掺入相应的其它元素、形成多种金属薄膜和绝缘膜、进行表面的刻蚀处理等。

这些复杂的生产制造工艺都需要在分子泵维持的高真空环境下进行，而且对真空系统和真空设备的洁净度也有着很高的要求。分子泵在半导体设备中的应用.在半导体生产制造工艺中，分子泵广泛应用于光刻机、薄膜沉积设备、刻蚀设备、离子注入机等关键设备。光刻机光刻机是生产大规模集成电路的设备，制造和维护需要高度的光学和电子工业基础，世界上只有少数厂家掌握，因此光刻机价格昂贵。

光刻机光刻过程必须在高真空环境中实现，原因是极紫外光很娇贵，在空气中容易损耗。同时，在光刻过程中，设备的动作时间误差以皮秒计，这对磁悬浮分子泵的振动值要求极高。（注：皮秒=兆分之一秒）薄膜沉积指在晶圆表面生成多种薄膜，这些薄膜可以是绝缘体、半导体或导体。它们由不同的材料组成，是使用多种工艺生长或沉积的。