刻蚀过程

普通的刻蚀过程大致如下：先在表面涂敷一层光致抗蚀剂，然后透过掩模对抗蚀剂层进行选择性***，由于抗蚀剂层的已***部分和未***部分在显影液中溶解速度不同，经过显影后在衬底表面留下了抗蚀剂图形，以此为掩模就可对衬底表面进行选择性腐蚀。如果衬底表面存在介质或金属层，则选择腐蚀以后，图形就转移到介质或金属层上。

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刻蚀工艺过程

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等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。 分离： 气体由等离子体分离为可化学反应的元素； 扩散： 这些元素扩散并吸附到硅片表面； 表面扩散：到达表面后， 四处移动； 反应： 与硅片表面的膜发生反应； 解吸： 反应的生成物解吸， 离开硅片表面； 排放： 排放出反应腔。

离子束刻蚀机

离子束技术的应用涉及物理、化学、生物、材料和信息等许多学科的交叉领域。离子束加工在许多精密、关键、高附加值的加工模具

等机械零件的生产中得到了广泛应用。一些***用于军事装备的建设上，如改善蜗轮机主轴承、精密轴承、齿轮、冷冻机阀门和活塞的性能。离子注入半导体掺杂已成为超大规模集成电路微细加工的关键工艺，导致出现了80年代集成电路产业的腾飞。

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离子束刻蚀

离子束刻蚀是通过物理溅射功能进行加工的离子铣。国内应用广泛的双栅考夫曼刻蚀机通常由屏栅和加速栅组成离子光学系统，其工作台可以方便地调整倾角，使碲镉基片法线与离子束的入射方向成θ角，并绕自身的法线旋转

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