光刻胶分类

市场上，光刻胶产品依据不同标准，可以进行分类。依照化学反应和显影原理分类，光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。使用正性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相同；使用负性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相反。

按照感光树脂的化学结构分类，光刻胶可以分为①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点；②光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，其经光照后,发生光分解反应，可以制成正性胶；相对于其他的光刻胶，PR1-2000A1有如下的一些额外的优势：PEB，不需要后烘的步骤。③光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。

按照***波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻胶（160~280nm）、极紫外光刻胶（EUV，13.5nm）、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。不同***波长的光刻胶，其适用的光刻极限分辨率不同，通常来说，在使用工艺方法一致的情况下，波长越小，加工分辨率越佳。作为光刻工艺自身的首先过程，一薄层的对紫外光敏感的有机高分子化合物，即通常所说的光刻胶，要涂在样品表面(SiO2)。

政策扶持

为促进我国光刻胶产业的发展，***02重大专项给予了大力支持。今年5月，02重大专项实施管理办公室***任务验收组、财务验收组通过了“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”项目的任务验收和财务验收。

据悉，经过项目组全体成员的努力攻关，完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。项目共申请发明15项（包括国际5项），截止到目前，共获得***10项（包括国际***3项）。随着LCD出货面积的持续增长，中国产业信息网预测，未来几年***LCD光刻胶的需求量增长速度为4%~6%。

NR9-3000PY

四、对准（Alignment）

光刻对准技术是***前的一个重要步骤作为光刻的三大核心技术之一，一般要求对准精度为细线宽尺寸的 1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高 ，对准精度要求也越来越高 ，例如针对 45am线宽尺寸 ，对准精度要求在5am 左右。

受光刻分辨力提高的推动 ，对准技术也经历 迅速而多样的发展 。从对准原理上及标记结 构分类 ，对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式 ，包括视频图像对准、双目显微镜对准等，一直到后来的波带片对准方式 、干涉强度对准 、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式 。从对准信号上分 ，主要包括标记的显微图像对准 、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。

PC6-16000

NR9-3000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势：

- 优异的分辨率性能

- 快速地显影

- 可以通过调节***能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度

- 耐受温度100℃

- 室温储存保质期长达3 年

NR9-1000PY 0.7μm - 2.1μm

NR9-1500PY 1.1μm - 3.1μm

NR9-3000PY 2.1μm - 6.3μm

NR9-6000PY 5.0μm -

12.2μm  

Resist Thickness

NR71-1000PY 0.7μm - 2.1μm

NR71-1500PY 1.1μm - 3.1μm

NR71-3000PY 2.1μm - 6.3μm

NR71-6000PY 5.0μm - 12.2μm