PR1 1500A1光刻胶公司产品介绍「赛米莱德」
作者:赛米莱德2021/11/3 2:21:10






光刻胶

北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY,此款负胶的设计适用于比较宽的波长范围和i线(366纳米)***工具。目前,整个产业是中间加工环节强,前后两端弱,核心技术至今被TOK、JSR、住友化学、信越化学等日本企业所垄断。当显影后NR9-3000PY显示出负的侧壁角度,是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。和其他胶相比NR9i-3000PY有下面的优势:


PR1-1500A1PR1 1500A1光刻胶公司

正性光刻胶的金属剥离技术

正性胶的金属剥离工艺对于获得难腐蚀金属的细微光刻图形比常规的光刻胶掩蔽腐蚀法显示了优越性。本文首先对金属剥离工艺中的正、负光刻胶的性能作了对比分析。认为正性光刻胶除图形分辨率高而适应于微细图形的掩膜外,它还具有图形边缘陡直, 去胶容易等独特性能,比负性光刻胶更有利于金属剥离工艺。然后给出了具体的工艺条件,并根据正性光刻胶的使用特点指出了工艺中的关键点及容易出现的问题。A有一种胶很适合,美国Futurrex生产的NR1-3000PYand和NR1-6000PY,都适合在OLED制程中做spacers。如正性光刻胶同GaAs表面的粘附性较差,这就要求对片子表面的清洁处理更为严格。为了高止光刻图形的漂移控制光刻图形的尺寸,对***时同特别是显影液温度提出了严格的要求。由于工艺中基本上不经过腐蚀过程,胶膜的耐腐蚀性降到了次要地位。


PC6-16000

NR9-3000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势:

- 优异的分辨率性能

- 快速地显影

- 可以通过调节***能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度

- 耐受温度100℃

- 室温储存保质期长达3 年

NR9-1000PY 0.7μm - 2.1μm

NR9-1500PY 1.1μm - 3.1μm

NR9-3000PY 2.1μm - 6.3μm

NR9-6000PY 5.0μm -

12.2μm  

Resist Thickness

NR71-1000PY 0.7μm - 2.1μm

NR71-1500PY 1.1μm - 3.1μm

NR71-3000PY 2.1μm - 6.3μm

NR71-6000PY 5.0μm - 12.2μm


按感光树脂的化学结构,光刻胶可分为光聚合型光刻胶、光分解型光刻胶和光交联型光刻胶。在应用中,采用不同单体可以形成正、负图案,并可在光刻过程中改变材料溶解性、抗蚀性等。

光聚合型光刻胶

烯类,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合。

光分解型光刻胶

叠氮醌类化合物,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性。

光交联型光刻胶

聚乙烯醇月桂酸酯,在光的作用下,分子中的双键打开,链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构从而起到抗蚀作用。

按***波长,光刻胶可分为紫外(300~450 nm)光刻胶、深紫外(160~280 nm)光刻胶、极紫外(EUV,13.5 nm)光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X 射线光刻胶等。

按应用领域,光刻胶可分为PCB 光刻胶、LCD 光刻胶、半导体光刻胶等。PCB 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低,而半导体光刻胶代表着光刻胶技术的水平。


商户名称:北京赛米莱德贸易有限公司

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