铝化学抛光技术?

一、对铝制品表面进行机械抛光：bbs.cnal.com5?z4?n6?T#?]:?N8?p,?F3?^

1、机械抛光工序为：粗磨、细磨、抛光、抛亮、喷砂、刷光或滚光等，根据制表面的粗糙程度来适当采取不同的工序。???二、化学除油除膜：6?z,?R1?d3?w;?%?R1?w

化学除油除膜过程是借着化学反应和物理化学作用，除去制件表面的油污和自然氧化膜。化学除油除膜一般采用酸性除油除膜剂AC。:?b#?^#?﹨4??;?b7?s2???使用条件：?

1、浓度：2-7%6?d2?X)?r*?M??G8?M

2、工艺条件：?温度：20-30℃?时间：2-10min???酸洗液的配方：中国铝业论坛$?V:?n'?e'?^2?h8?L8?N3?c

浓硝液200~270ML/L中国铝业论坛;?j'?{&?[%?X-?b5?d

温度：室温时间：1-3min?

除去含合金制件表面氧化膜和硅浮灰的酸洗液配方：9?R9?F9?G9?r8?~9?P'?i

浓3体积；浓1体积。???温度：室温?时间：5-15min:?r7?T0?_-?a+?m1?H0?u

铝及铝合金制件经化学酸洗后，必须立即用流动温水和冷水清洗，以除去残酸，然后浸入水中，以备化学抛光。

半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。

化学抛光的优缺点：

1：优点： 操作简便、快速，无需仪器。抛光后试样表面无变形层，可抛光经镶嵌后的试样，也可同时抛光试样的纵、横断面。化学抛光时兼有化学侵蚀作用，因此多数情况下能同时显示***，抛光结束之后可以观察***，不需再做侵蚀显示。

2：缺点：抛光液容易失效，溶液消耗快。抛光结果不是太佳，试样的棱角易受蚀损，抛光面易出现微小波纹起伏，高倍观察时受到影响