化学抛光是靠化学***的化学浸蚀作用对样品表面凹凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法。化学抛光设备简单，能够处理细管、带有深孔及形状复杂的零件，生产。化学抛光可作为电镀预处理工序，也可在抛光后辅助以必要的防护措施直接使用。为了进行化学抛光，必须使零件表面的凸部比凹部优先溶解，因此应将化学抛光的作用分为两个阶段来认识。阶段是化学抛光时金属表面现象的几何凸凹的整平，去除较粗糙的表面不平度，获得平均为数微米到数十微米的光洁度；第二阶段是晶界附近的结晶不完整部分的平滑化，去除微小的不平，在0.1～0.01μm，相当于光波长的范围。可将阶段称为宏观抛光或平滑化，把第二阶段称为微观抛光或光泽化。

三种主流研磨抛光技术1、种是物理研磨这种研磨颗粒呈不规则菱形状，粗中细级别都有，去氧化和划痕效果相当不错，是市面主流研磨抛光技术；而带棱角的粗研磨剂往往造成二次细微划痕，需要更细一级的研磨剂二次以上研磨，程序复杂，同时不可避免的伤及漆面。经常使用这种研磨产品和技术，让漆面像般的依赖抛光打蜡，清漆层已越抛越薄，原车漆光亮度黯然失色2、第二种是物理+覆盖研磨刚抛完的粗中划痕消失，有光亮效果，但在太阳光下有明显细微划痕和旋光，原因：部份划痕被蜡或树脂油性成份填补，而非真正去除；油性过大，抛光毛球行走纹路产生旋光。这种抛光方式极易在洗二三次车后划痕重现，具有较强的欺骗性。不知就理的店主和技师将非常烦恼！3、第三种是比较和少见的研磨技术破碎抛光技术，研磨剂呈玻珠圆状，不会造成二次研磨划痕，同时漆面的温度较低；当抛光毛球高速运转与研磨剂产生一定的温度时，使研磨颗粒瞬间破碎,形成更细颗粒，有效对细微深层抛光，一步到位,越抛越亮，这种抛光技术即保证了效果，也的杜绝了抛光对漆面的伤害（抛光必有伤害）！同时这类研磨剂不含蜡或树脂油性成份，抛出的光泽是漆面深邃的原漆光泽，冷光质感今人惊艳。

这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。

氧化抛光液氧化抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化研磨液，该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。适用于高精密光学仪器，光学镜头，微晶玻璃基板，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。氧化铝和碳化硅抛光液是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。