化学抛光适用什么材料？工艺原理是如何的

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化学抛光主要用不锈钢、铜及铜合金等。化学抛光对钢铁零件，尤其是低碳钢有较好的抛光效果，所以对于一些机械抛光时较为困难的钢铁零件，可采用化学抛光。

原理：化学抛光是靠化学***的化学浸蚀作用对样品表面凹凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法。化学抛光设备简单，能够处理细管、带有深孔及形状复杂的零件，生产。化学抛光可作为电镀预处理工序，也可在抛光后辅助以必要的防护措施直接使用。

随着环保意识及***的加强，目前越来越多的工厂选择两酸抛光工艺。但是两酸在3C产品生产过程中存在以下问题：1.当抛光液中铝离子浓度超过16g/L时，抛光带有通孔或盲孔的喷砂工件时会产生抛痕，尤其当喷砂工件为Al5252材质的铝合金时抛痕更为明显。2.对经T处理的铝塑复合件抛光时铝塑交界处易出现不均匀，塑料件易发黄。3.铝合金工件在自动抛光线上抛光时在工件转移过程中所需时间通常在18秒以上，铝型材化抛生产线转移所花的时间更长通常在30秒以上，在转移过程中由于抛光液的滴趟会在表面形成不规则的流痕，影响外观效果。

这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。

基本原理：

金属试样表面各组成相的电化学电位不同，形成了许多微电势，在化学溶液中会产生不均匀溶解。在溶解过程中试样面表层会产生一层氧化膜，试样表面凸出部分由于粘膜薄，金属的溶解扩展速度较慢，抛光后的表面光滑，但形成有小的起伏波形，不能达到十分理想的要求。在低和中等放大倍数下利用显微镜观察时，这种小的起伏一般在物镜垂直鉴别能力之内，仍能观察到十分清晰的***