①温度。化学抛光时，溶解速度随着抛光液温度的提高而显著地增加。此外，强氧化性酸（如浓、等）在高温时氧化作用也会显著提高。在化学抛光时，由于这些酸的溶解和氧化作用会同时发生，故多数情况下都是把抛光液加热到较高温度再进行化学抛光。需要提高温度再进行化学抛光的金属有钢铁、镍、铅等，若温度低于某一定值，就会出现无光的腐蚀表面，故存在一个形成光泽面的临界温度，在临界温度以上的一定温度范围内，抛光。而这个温度范围又因溶液组成而异。如果高于这个温度范围，会形成点蚀、局部污点或斑点，使整个抛光效果降低。此外温度越高，金属表面的溶解损失也越大

后处理化学抛光后处理钢铁零件化学抛光，可以作为防护装饰性电镀的前处理工序，也可以作为化学成膜如磷化发兰的前处理工序。如不进行电镀或化学成膜，而直接应用，可喷涂氨基清漆或清漆，烘干后有较好的防护装饰效果。若喷漆前浸防锈钝化水剂溶液，抗蚀防护性将会进一步提高。准备工作工具：抛光机、羊毛盘、海绵盘、超细纤维布、遮蔽膜、遮蔽胶带。材料：砂纸、抛光粗蜡，镜面蜡抛光作用：去除油漆表面氧化层、浅层的划痕、氧化造成的漆面失光等影响漆面外观的问题。抛光用力原则：初始抛光时使用中等偏上压力,使蜡有较好的切削力,后续收光可放松压力;抛光面积以一臂距 离为准，抛光完毕后及时擦除残余蜡斑。

温度.对化学抛光的效率和表面质量有重要的影响.温度高抛光加速,但产生较多的气体,有可能产生气体缺陷.对于新配制的化学抛光槽液,温度不宜太高；若溶铝量达到平衡时操作温度宜高些.随着溶铝量的增加,要维持一定的抛光效率就要提高槽液的温度,如果槽液温度超过设定的上限温度105℃,仍不能得到满意的光亮度,应根据化验结果调整槽液浓度或相对密度.此外,还要注意保持槽液各处温度的均匀性.

半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。