为了保证化学抛光的效果，必须使金属表面溶解，并在表面上形成液体膜或固体膜。因此，金属的化学抛光液必须具有溶解金属的能力和形成保护膜的能力。化学抛光液的基本组成一般包括腐蚀剂、氧化剂、添加剂和水。腐蚀剂是主要成分，如果零件在溶液中不溶解，抛光就不能进行。氧化剂和添加剂可***腐蚀过程，使反应朝有利于抛光的方向进行。水对抛光液浓度起调节作用，便于反应产物的扩散。

依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。

化学抛光的优缺点：

1：优点： 操作简便、快速，无需仪器。抛光后试样表面无变形层，可抛光经镶嵌后的试样，也可同时抛光试样的纵、横断面。化学抛光时兼有化学侵蚀作用，因此多数情况下能同时显示***，抛光结束之后可以观察***，不需再做侵蚀显示。

2：缺点：抛光液容易失效，溶液消耗快。抛光结果不是太佳，试样的棱角易受蚀损，抛光面易出现微小波纹起伏，高倍观察时受到影响