注意事项1、 抛光时必须坚持“宁可慢，不可快，宁轻，勿重”的原 则，避免抛漆。2、 把电线背起来，以免伤人、伤机、缠线，严禁电线接触。3、 抛光蜡可先倒在漆面上均匀分散，防止漆面飞溅。4、 漆面抛光前建议先用洗车泥擦拭，去除油漆表面附着的表层颗粒和污染物。5、 抛前机盖时，用大毛巾或者是遮蔽膜盖住前挡玻璃，避免抛光蜡沾在玻璃密封条与雨刮器上难以擦除。6、 抛光蜡均匀涂在羊毛盘或海绵盘上，防止飞溅、浪费材料。7、 使用完毕后正确放置机器，两手柄支地，毛轮朝上。

化学抛光溶液：

化学抛光液的成分随抛光材料的不同而不同。一般为混合酸液。化学抛光溶液由氧化剂和粘滞剂组成。氧化剂起抛光作用，它们是酸类和。常用的酸类有：正磷酸、铬酸、***、醋酸、、等等。粘滞剂用于控制溶液中的扩散和对流速度，使化学抛光过程均匀进行。

化学抛光操作步骤

1：试样准备：试样经精磨光后清洗。

2：配置化学抛光溶液。化学抛光溶液应在烧杯中调配，根据试样材料选择化学抛光液配方，配溶液时应用蒸馏水，***用化学纯***。某些不易溶于水的***需要加热溶液才能溶解。和腐蚀性很强，调配时需注意安全。化学抛光溶液经使用之后，溶液内金属离子增多，抛光作用减弱，如果发现作用缓慢，气泡减少，应更换新药液。

3：试样用竹夹或者木夹夹住浸入抛光液中，一边搅动并适时取出观察至达到抛光要求后取出。

4：化学抛光结束之后，试样应立即清洗、吹干。

这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。