化学抛光适用什么材料？工艺原理是如何的

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化学抛光主要用不锈钢、铜及铜合金等。化学抛光对钢铁零件，尤其是低碳钢有较好的抛光效果，所以对于一些机械抛光时较为困难的钢铁零件，可采用化学抛光。

原理：化学抛光是靠化学***的化学浸蚀作用对样品表面凹凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法。化学抛光设备简单，能够处理细管、带有深孔及形状复杂的零件，生产。化学抛光可作为电镀预处理工序，也可在抛光后辅助以必要的防护措施直接使用。

抛光就是对工件表面进行加工，使其高度光洁。一般用附有细磨粉的软质轮子高速旋转来擦拭工作。此外还有液体抛光、电解抛光等方法。简单说抛光剂就是使物件表面光亮的***。抛光后的产品亮度均匀一致，且本药剂的处理温度为中温，无需加过高的温度。抛光剂（俗称：光亮剂）：淡***或***透明液体制剂。根据市场需求不断演化出针对不同材质的制剂（大至有不锈钢抛光剂、镁合金抛光剂、铜抛光剂、铝合金抛光剂、玻璃抛光粉、钻研抛光粉等）。 [1] 用 途：适合各种不锈钢或金属制品抛光。性 状：液体产品。工艺条件：抛光机配套使用腐 蚀 性：对不锈钢无腐蚀，保持金属表面光亮度，不变色，刺。毒 性：***，不污染环境。配 比：1:5~10(以能润湿工件为准)温 度：常温使用

氧化抛光液氧化抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化研磨液，该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。适用于高精密光学仪器，光学镜头，微晶玻璃基板，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。氧化铝和碳化硅抛光液是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。

半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。