抛光加工的机理

抛光切削加工、塑性加工和化学作用的综合过程。 微细磨粒进行的是切削加工，摩擦引起高温而产生挤擦工件表面层的是塑性加工，抛光剂的介质在温度和压力作用下与金属表面层发生的是化学作用。

抛光加工的种类

1、机械抛光：机械抛光是靠切削、材料表面塑性变形去掉被抛光后的凸部而得到平滑面的抛光方法

2、化学抛光：化学抛光是让材料在化学介质中表面微观凸出的部分较凹部分优先溶解，从而得到平滑面。

3、电解抛光：电解抛光基本原理与化学抛光相同，即靠选择性的溶解材料表面微小凸出部分，使表面光滑。

4、超声波抛光 ：将工件放入磨料悬浮液中并一起置于超声波场中，依靠超声波的振荡作用，使磨料在工件表面磨削抛光。

5、流体抛光 ：流体抛光是依靠高速流动的液体及其携带的磨粒冲刷工件表面达到抛光的目的。

这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。

多晶金刚石抛光液多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。主要应用于蓝宝石衬底的研磨、LED芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。氧化硅抛光液氧化硅抛光液（CMP抛光液）是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。

基本原理：

金属试样表面各组成相的电化学电位不同，形成了许多微电势，在化学溶液中会产生不均匀溶解。在溶解过程中试样面表层会产生一层氧化膜，试样表面凸出部分由于粘膜薄，金属的溶解扩展速度较慢，抛光后的表面光滑，但形成有小的起伏波形，不能达到十分理想的要求。在低和中等放大倍数下利用显微镜观察时，这种小的起伏一般在物镜垂直鉴别能力之内，仍能观察到十分清晰的***