优点化学抛光的优点是化学抛光设备简单，不需要什么特殊设备，只需要一个盛抛光液的玻璃杯和夹持试样的夹子就可以了。如果用细薄磨料片切割的试样，切割后不需要砂纸磨光，即可直接抛光。有些非导体材料也可以用化学抛光，非导体嵌镶的试样也可以直接抛光。化学抛光也可以处理形状比较复杂的零件

缺点1、化学抛光的质量不如电解抛光。2、化学抛光所用溶液的调整和再生比较困难，在应用上受到限制。3、化学抛光操作过程中，散发出大量黄棕色***气体，对环境污染非常严重。4、抛光溶液的使用寿命短，溶液浓度的调节和再生比较困难

铝及铝合金产品因具有特殊的性质，因此应用相当广泛，在五金市场中占有极其重要的地位，铝制品在表面处理中要进行抛光，这不仅使铝制品的外观具有光亮的外表，而且均匀光滑的表面可以分散降低腐蚀介质的吸附，提高抗蚀性能。对于一般要求不很高的产品一般采用化学抛光，这样既能节省劳力又能节省电，但是目前采用的化学抛光液中含有造成对环境的污染，为了化学抛光处理过程对环境造成的污染和对***造成的危害问题，特对传统的化学抛光进行了改良，生产出来了无黄烟化学铝合金抛光光亮剂。

半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。