电化学抛光原理电化学抛光也称电解抛光。电解抛光是以被抛工件为阳极，不溶性金属为阴极，两极同时浸入到电解槽中，通以直流电而产生有选择性的阳极溶解，从而使工件表面光亮度增大，达到镜面效果。

工艺流程化学(或电化学)除油→热水洗→流动水洗→除锈(10%***)→流动水洗→化学抛光→流动水洗→中和→流动水洗→转入下道表面处理工序工作环境：传统抛光工艺工作环境恶劣，抛光过程中产生沙粒，铁屑，粉尘等，严重污染环境；.加工效率：人工抛光；豪克能工艺属于以车代磨，线速度可达50-80 m/min,进给量可达0.2-0.5mm/r,相当于半精车的效率。铺料消耗：抛光需要消耗抛光轮、磨料、砂带等辅料；适应性：抛光可以加工平面等简单的型面，对于曲面无法加工。如果加工R弧，曲面等复杂型面，可采用豪克能抛光工艺。

CMP技术的概念是1965年由Manto提出。该技术是用于获取高质量的玻璃表面，如望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM 的制造中，而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM 的生产中以后，CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，CMP通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。

注意事项根据我公司长时间对抛光工艺的摸索与实践，光亮剂在抛光液中几乎消耗相当细微，因此时视具体的情况配比补加光亮剂，新配抛光溶液抛光时间要短；温度偏高时，抛光时间要短些，若抛光2min以上仍不光亮时，可观察抛光时液面泡沫的多少，酌情添加光亮剂，泡沫少时可按适当比例添加部份光亮剂，泡沫多时只要按比例加入磷酸和***即可。生产一段时间后的溶液呈乳白色且粘度大，所以化学抛光后的产品需要反复清洗，否则酸液残留于工件表面将会导致表面产生白霜点。