化学抛光是靠化学***的化学浸蚀作用对样品表面凹凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法。化学抛光设备简单，能够处理细管、带有深孔及形状复杂的零件，生产。化学抛光可作为电镀预处理工序，也可在抛光后辅助以必要的防护措施直接使用。为了进行化学抛光，必须使零件表面的凸部比凹部优先溶解，因此应将化学抛光的作用分为两个阶段来认识。阶段是化学抛光时金属表面现象的几何凸凹的整平，去除较粗糙的表面不平度，获得平均为数微米到数十微米的光洁度；第二阶段是晶界附近的结晶不完整部分的平滑化，去除微小的不平，在0.1～0.01μm，相当于光波长的范围。可将阶段称为宏观抛光或平滑化，把第二阶段称为微观抛光或光泽化。

铝合金产品传统的三酸抛光的化学工艺配方为：磷酸80%，***10%，10%。目前磷酸的价格为5400元/吨，***700元/吨，2300元/吨（以上价格仅作为参考）。那么我们传统的配方成本为：磷酸800ml*1.70*5.40=7.344元，***100ml*1.84*0.7=0.13元，100ml*1.40*2.30=0.32元，那么一升抛光液合计的成本为7.8元。目前我公司研制成功的OY系列铝处理化学抛光工艺，磷酸为500ml/l,***500ml/l,光亮剂20ml/l, 成本核算为：500ml*1.70*5.40=4.59元；***500*1.84*0.7=0.644;光亮剂计0.65元，合计5.85元。因此，我公司OY系列铝处理工艺，成本足足下降了20%。而且OY系列产品在处理铝的时候,无任何黄烟，大大的改善了生产环境；处理成品率可以在到98%以上，几乎无因为抛光而造成的报废品；光亮度好，与三酸处理无异；维护管理容易，溶液性能稳定。因此，我公司极力推荐使用本产品。

多晶金刚石抛光液多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。主要应用于蓝宝石衬底的研磨、LED芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。氧化硅抛光液氧化硅抛光液（CMP抛光液）是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。