TIR100 – 2 热发射率仪

内部微控制器可将发1射器温度调节至恒定的100℃，同时记录传感器信号并配合存储的标准值将其转换为发射率的绝1对值。

大屏幕LED显示设备的状态，测量结果和操作菜单，触摸屏面板确保所有功能轻松实现。

仪器内部的逆向热熔丝防止发1射器加热时产生过多热量，并可在125℃中断加热过程。

热电堆传感器将反射的热辐射转换为电压信号，超过97%的辐射能的波长在2.5 μm和40 μm范围之间。

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TIR100 – 2 热发射率仪技术数据

测量范围 < 0,020 … 0,980

精度 +- 0,005

光谱范围 2,5 μm - 40 μm

辐射能值 8 μm

黑体温度 100 °C

积分时间      5秒

测量点 ~5 mm

额定功率 130 W（230 V~/115 V~ (opt.)）

尺寸 230毫米x 140毫米x 120毫米

重量         2公斤

校准用标准           低发射端：抛光铝

高发射端:黑色遮光罩

参考发射率          低发射端标准值~0,012

高发射端标准值~0,960

个别校准可参考***物理实验室校准标准

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热发射率仪的特点

大屏幕LED显示设备的状态，测量结果和操作菜单，触摸屏面板确保所有功能轻松实现。设备的核心部件是半球形的黑体，由于发射元件涂有黑色涂层，因此具备近乎理想黑体的所有属性。发射元件的工作温度为100℃，黑体外壳的其余部分与发射元件热绝缘。两物体间辐射传热的速率Q12可表示为式中T1、T2分别为两物体的表面温度。因此在仪器运行过程中仅产生轻微热量。

东方圆通——生产、销售热发射率仪，我们公司坚持用户为上帝，想用户之所想，急用户之所急，以诚为本，讲求信誉，以产品求发展，以质量求生存，我们热诚地欢迎各位同仁合作共创辉煌。

热发射率仪——原理介绍

新型发射率测量仪是采用反射率法的测试原理，即通过采用主动黑体辐射源测定待测物表面的法向反射率，进而测出其在特定红外波段的法向发射率的。它能测量常温样品在3μm-5μm，8μm-14μm和1μm-22μm三个波段的发射率。当某系统需要保温时，即使此系统的温度不高，辐射传热的影响也不能忽视。当有特殊需要时，它可通过的控温装置在-100℃~600℃任何温度范围内加热或冷却样品，从而对样品进行发射率变温测量。

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