***晶体结构为什么不能用鲍林规则解释

同晶体其质点间结合力本质同质点三维空间排列式同使晶体微观结构各异反映宏观性质同晶体具截同性质

1、电价规则指：稳定离晶体结构每负离电荷数等于或近似等于相邻离配给负离静电键强度总其偏差≤1/4价静电键强度S=离数Z+/离配位数n 则负离电荷数 Z=∑Si=∑(Zi+/ni)

2、面体共顶、共棱、共面规则其内容：配位结构共用棱特别共用面存降低结构稳定性其高电价低配位离种效应更明显（4）同配位面体连接规则其内容：若晶体结构含种离则高电价、低配位面体间尽能彼互连接趋势例镁橄榄石结构[SiO4]四面体[MgO6]八面体两种配位面体Si4+电价高、配位数低所[SiO4]四面体间彼连接间由[MgO6]八面体所隔

下面***厂家为您介绍：***薄膜结构与电致变色效应

采用反应蒸发制备V2O5薄膜,用X射线衍射分析和分光光度计分别测量薄膜晶体结构和光谱特性,利用标准三电极法从锂离子电解质溶液中向V2O5薄膜注入锂离子,实验结果表明:刚制备的薄膜为非晶结构,热处理使得膜结晶:V2O5薄膜呈较强的阳极电致变色和较弱的阴极电致变色双理效应;

还原***制备二氧化钒粉末

还原***制备二氧化钒粉末

采用碳热法还原V2O5制备钒的氧化物VO2.用XRD分析生成物的相结构,用DSC/TGA的分析结果推测反应历程.结果表明:反应经历了674°C-710°C期间生成V6O13和710°C以上完全形成VO2的过程.将VO2与LAS玻璃复合烧结成陶瓷,对其进行阻温测试,结果表明:在室温至100°C间复合陶瓷电阻急骤下降,这是由VO2的半导体-金属相变效应引起的.

还原***制备钒的氧化物

还原***制备钒的氧化物

以高纯度的***粉末为原料,用还原反应制备所需的二氧化钒和三氧化二钒.其中,三氧化二钒是通过氢气直接还原***来生成的.而制备二氧化钒的方法有如下几种: 1)氢气直接还原***. 2)碳(炭黑或石墨)以一定的摩尔比混和***在惰性气体保护下还原. 3)铜做还原剂还原***. 另外,也尝试了在惰性气体保护下直接热解***的方法.