***纳米颗粒的制备及其电化学性能研究

V2O5因具有理论容量大,放电平台高,合成便捷,低成本等优点受到广泛关注.但也存在一些弊端,如结构稳定性较差,电子离子的导电率较低,故在充放电过程中Li+的嵌入/脱出会导致V2O5层状结构的坍塌,因此阻碍了它的实际应用.而将材料纳米化,金属阳离子掺杂可以有效地克服V2O5材料的上述缺点.本文制备出了纯相的V2O5纳米材料和金属离子掺杂的V2O5纳米材料,并对制备样品的形貌结构,电化学性能进行了表征,还考察了金属离子掺杂量对材料性能的影响.采用双组份溶剂水热法(溶剂由水和醇类组成),合成出了纳米棒状结构的V2O5.以XRD,SEM, CV和恒流充放电的表征方式对制备样品进行了性能研究,主要探究水与乙醇的体积比,水热温度,填充比,水热时间以及不同种类的溶剂对材料性能的影响,得到了的制备条件,如下所示:水与乙醇的体积比为1:0.5,水热温度为180℃,填充比为60%,水热时间为24h,的溶剂为乙醇.并且此材料表现出了较好的电化学性能,有较好的可逆性和倍率性能以及循环性能,在充放电倍率为0.1c倍率下进行充放电测试,其放电比容可以达到250.01mAh/g.通过使用NH4VO3和HCl为原料合成出了纳米棒状结构的V2O5正极材料.

***薄膜原子层沉积制备及其光学与电学特性研究

通过对原子层沉积过程中生长条件和反应前驱体的控制,制备了厚度在纳米级别可控的***薄膜,并实现了薄膜掺杂。同时研究了所制备超薄膜的光学和电学特性,为***超薄膜在光学器件和能量存储等领域的应用奠定了材料基础。本文主要研究内容和成果体现在以下几方面:首先,通过改变生长条件对***薄膜的生长进行调节,研究了薄膜厚度、形貌、组分、晶体结构等基本特性。发现薄膜的生长模式属于先层状生长,再岛状生长的Stranski-Krastanov模式,分析并比较了两种模式下薄膜形貌,生长速率,结构特性的区别,证明这两种生长模式的差异是由***晶体趋向于沿[010]方向生长的特性决定的。

五氧化钒的具体用途在哪里？

***的应用，是在接触法制***时，作氧化为的催化剂。进一步与水反应可以得到***。

2 SO2 + O2 ? 2 SO3

一般催化反应于400-620°C时发生。低于此温度时，***无法发挥出催化活性；高于此温度时，***则分解。反应的催化机理如下，经由的二氧化钒中间产物：

SO2 + V2O5(s) → SO3(g) + 2 VO2(s)

2 VO2(s) +1/2 O2(g) → V2O5