真空镀膜技术一般分为两大类，即物***相沉积技术和化学气相沉积技术。

物***相沉积技术是指在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成原子、分子或使其离化为离子，直接沉积到基体表面上的方法。化学气相沉积技术是把含有构成薄膜元素的单质气体或化合物供给基体，借助气相作用或基体表面上的化学反应，在基体上制出金属或化合物薄膜的方法，主要包括常压化学气相沉积、低压化学气相沉积的等离子化学气相沉积等。

真空镀膜是指在高真空的条件下加热金属或非金属材料，使其蒸发并凝结于镀件（金属、半导体或绝缘体）表面而形成薄膜的一种方法。

化学气相沉积技术是把含有构成薄膜元素的单质气体或化合物供给基体，借助气相作用或基体表面上的化学反应，在基体上制出金属或化合物薄膜的方法。

真空镀膜的薄膜和基体选材广泛，薄膜厚度可进行控制，以制备具有各种不同功能的功能性薄膜。

真空镀膜是一种产生薄膜材料的技术。真空镀的基本原理：在真空条件下，金属、金属合金等被蒸发蒸发，然后沉积到基体表面，蒸发法通常采用电阻加热，电子束轰击镀料，使其蒸发成气相，然后沉积到基体表面。在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。真空镀膜有三种形式,即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀.蒸发镀膜 通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。