由于Parylene涂层材料是在真空下沉积而成，是裂解的分子重新聚合形成的防护材料，属分子级的生长，生成的涂层致密稳定、摩擦系数小，且随着涂层生长厚度的增加，摩擦系数减小。在厚度为0.5μm时，摩擦系数仅相当于硅涂覆层的一半，厚度为2μm时的摩擦系数，仅相当于0.5μm厚涂层摩擦系数的1 /4。

       Parylene 材料有良好的物理和机械性能，其和常用涂层的物理和机械性能比较如表 1 所示，从表中可以看出，其抗拉强度、线膨胀系数、硬度数值等参数相对稳定，变化范围小，摩擦系数较小。 

       表面科学是在固体物理等许多科学基础上发展起来的新科学，其研究对象是各种各样的表面。真空镀膜技术为制造各种各样的清洁表面提供了手段。特别是20世纪70年代在真空镀膜基础上发展起来的分子束外延技术，用他不值可以特备可控制的超薄薄膜、原子级平整度的表面、上百层的叠加膜，而且还可以控制薄膜的成分和亚比。这些薄膜的制备均为科学的研究和发展提供了充分的条件。

       真空搜膜技术在其他科学领域中的应用亦很广泛。例如，电子显微镜的标本必须经过真空镀膜处理才能观察﹔激光器需要镀上精密控制的光学膜层才能使用;太阳能利用也与真空镀膜技术息息相关。

        派瑞林（Parylene）可以增加铁氧体等磁性材料的介电性及耐高压性能，可以克服普通环氧树脂喷涂等其他涂层工艺处理后不耐磨，不耐酸碱等方面的严重缺陷。其工艺特点：派瑞林（Parylene）涂层物料经蒸发室汽化后进入裂解室后裂解为气体，气体进入沉积室，通过沉积室，即物体表面均匀包覆所述派瑞林层。派瑞林（Parylene）真空气相沉积工艺和磁体覆膜工艺，降低磁体表面的氧化能力，提高磁体的抗蚀性，相比电镀磁体工艺，该镀膜工艺使磁通损失率降低至现有覆膜工艺的50％，且降低了毛坯生产的成本。从而降低企业生产成本，提高产品性能。

       考夫曼离子源是应用较早的离子源。属于栅格式离子源。首先由阴极在离子源内腔产生等离子体，让后由两层或三层阳极栅格将离子从等离子腔体中抽取出来。这种离子源产生的离子方向性强，离子能量带宽集中，可广泛应用于真空镀膜中。缺点是阴极（往往是钨丝）在反应气体中很快就烧掉了，另外就是离子流量有极限，对需要大离子流量的用户可能不适和。

       霍尔离子源是阳极在一个强轴向磁场的协作下将工艺气体等离子化。这个轴向磁场的强不平衡性将气体离子分离并形成离子束。由于轴向磁场的作用太强，霍尔离子源离子束需要补充电子以中和离子流。常见的中和源就是钨丝（阴极）。