派拉纶（Parylene）涂层工艺是使用化学气相沉积（CVD）工艺在真空下沉积的。派拉纶（Parylene）的（CVD）工艺分为三个步骤（升华，热解，沉积）。首先，将二聚体（具有两个重复单元的前体）升华。下一步，在高于＞ 500°C的温度下通过热解将二聚体裂解为两种单体。然后，单体在基材表面（以及腔室表面）上聚合，形成线性聚合物链。后一步在室温下进行，得到派拉纶（Parylene）保形涂层。通过的真空镀膜机，进行的镀膜加工生产。

人们有时还会用千分尺来测量涂层的厚度。它们具有测量任何涂层与基体组合的优点，但缺点是需要接触到的基底面。

接触涂层的上表面和基底的下表面有时是非常困难的，并且它们通常不足以非常准确、灵敏的测量出某些薄涂层的厚度。因此，利用该方法必须进行两次测量，一次是在含有涂层的表面上进行测量，另一次则是在没有涂层的表面上进行测量。这两个度数的差值，也即是测量的高度差，就是该涂层的厚度大小。在一些粗糙表面上，该方法一般在较高处测量涂层的厚度。

       考夫曼离子源是应用较早的离子源。属于栅格式离子源。首先由阴极在离子源内腔产生等离子体，让后由两层或三层阳极栅格将离子从等离子腔体中抽取出来。这种离子源产生的离子方向性强，离子能量带宽集中，可广泛应用于真空镀膜中。缺点是阴极（往往是钨丝）在反应气体中很快就烧掉了，另外就是离子流量有极限，对需要大离子流量的用户可能不适和。

       霍尔离子源是阳极在一个强轴向磁场的协作下将工艺气体等离子化。这个轴向磁场的强不平衡性将气体离子分离并形成离子束。由于轴向磁场的作用太强，霍尔离子源离子束需要补充电子以中和离子流。常见的中和源就是钨丝（阴极）。

       镀灯具铝膜。因为是金属膜，当然是直流磁控溅射好。速度快。中频适合镀化合物膜。如果选离子源，霍尔离子源就够了。但要注意灯具大小。一般霍尔离子源是圆形，离子源覆盖的面积有限。你一定要用离子束将工件全部覆盖到。若普通霍尔离子源太小，可考虑用阳极层离子源。离子源难起辉的一个原因是磁场太弱激发不起等离子体。离子源的种类虽多，但基本上是先产生等离子体，然后从等离子体中抽出气体离子并加速成离子束，让后视需要注入电子中和离子流。